[发明专利]防尘薄膜、其制造方法以及用该膜贴付的防尘薄膜组件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置，IC封装，印刷基板，液晶显示器或者有机EL显示器等的制造时作为防尘物使用的防尘薄膜组件，特别是涉及作为曝光光源，使用i线(365nm)，h线(405nm)或者g线(436nm)的任一个或者它们复合在一起的紫外线的光刻工程中使用的防尘薄膜，其制造方法以及将该膜绷紧贴付的防尘薄膜组件。

背景技术

LSI，超LSI等的半导体，IC封装体，印刷基板等的电路基板，液晶显示器以及有机EL显示器等的制造中，在半导体晶片，封装基板或者显示器用原板表面设置光刻胶，然后，通过具有图案的光掩模向其照射光，显影以制作图案。此时所用的光掩模或者中间掩模(以下，均称光掩模)如有灰尘付着，该灰尘对光进行吸收，或使光弯曲，如此转印的图案就会变形，图案的边缘就会模糊，基底变的变黑等，最终产品的尺寸，品质以及外观等受损。

因此，这些操作通常在无尘室中进行，但是即使如此要使光掩模时常清洁也是困难的。因此，要在光掩模表面作为防尘物将防尘薄膜组件贴付后再进行曝光。在该場合，异物就不会在光掩模的表面上直接付着，而是在防尘薄膜组件上付着，这样光刻时只要将焦点对准光掩模的图案上，防尘薄膜组件上的异物就与转印无关了。

一般，防尘薄膜组件，是将光良好透过的透明的防尘薄膜在由铝，不锈钢以及工程塑料等形成的防尘薄膜组件框架的上端面贴付，或粘接制作。进一步，在防尘薄膜组件框架的下端，为了光掩模的安装，设置由聚丁烯树脂，聚乙酸乙烯基酯树脂，丙烯酸树脂，热溶胶粘着剂或硅氧烷树脂等形成的粘着层，以及根据必要，还要设置以保护该粘着层的为目的的离型层(剥离片)。

另外，在防尘薄膜组件被贴付于光掩模的状态，为了使防尘薄膜组件内部围成的空间与外部没有气压差，在防尘薄膜组件框架的一部分设置气压调整用的小孔，为了防止通过该小孔的移动空气带入异物，有时也设置过滤器。

作为防尘薄膜，要选择与曝光使用的光源相对应的最适宜的材料。例如，ArF激光(193nm)，或者KrF激光(248nm)被使用的場合，对该波长的光有充分的透过率和耐光性的氟类树脂被使用(专利文献1)。

另外，在使用i线(365nm)，h线(405nm)以及g线(436nm)进行曝光的場合，可以使用硝化纤维素，乙基纤维素，丙酸纤维素等的纤维素类树脂，聚乙烯基缩醛树脂以及环烯类树脂等(专利文献2，3以及4)。这些的光源中，一般使用高压水银灯或者超高压水银灯。

高压水银灯以及超高压水银灯，具有在254至577nm之间具有数个峰的宽波长的特性。它们之中，从光刻中的发光量以及光能量的观点，最高強度的为i线(365nm)，然后为g线(436nm)以及h线(405nm)的光可以良好地使用，偶尔也使用313nm的光。另外，显示器制造用等的量被特别重视的場合，并不使用特定的波的光，而是使用例如365nm至436nm的全部的光。

上述的氟树脂，对短波长几乎没有吸收，可以使用短波长，高能量的KrF激光以及ArF激光的波长，所以使用比它们的能量低的i线，g线等的波长也当然也完全没有问题。但是氟树脂有成本极高的缺点。因此一般，在i线至g线的波长领域，作为防尘薄膜材料考虑种种的特性，多使用便于使用的纤维素类树脂等。

【先有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】特开平03-39963

【专利文献2】特开平01-100549

【专利文献3】特开平01-172430

【专利文献4】特开2010-152308

近年，在光刻工程中，为了用更细的线来对电路进行描绘，以及提高生产性，要求更高的曝光強度。曝光強度变高，防尘薄膜的紫外线造成的老化被促进，从而发生膜厚的減少，透过率的变低，海斯(ヘイズ)的发生等的问题。具体地说，被光掩模的铬(Cr)层遮光的部分由于没有被紫外线照射所以没有任何变化，但是没有Cr层的部分(图案被描绘的部分)，防尘薄膜表面直接被紫外线照射，该部分的膜会损伤。

如上述，曝光光源在使用高压水银灯或者超高压水银灯的場合，这些光源发生的光中，不仅有曝光用的i线，h线，g线，还有其他波长的光，其代表性的可以例举254nm，302nm，313nm等的短波长光。这些短波长的光，特别是254nm的光，具有比纤维素类树脂等构成防尘薄膜的分子的键能量还要高能量，其键就会被切断。键被切断的分子被分解，气化，防尘薄膜表面被削取，膜厚減少。