[发明专利]一种增加单位测试模块的可测器件的测试键回路有效
| 申请号： | 201210090327.3 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623413A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 周羽宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增加 单位 测试 模块 器件 回路 | ||
1.一种增加单位测试模块的可测器件的测试键回路，包括若干单位测试模块，其特征在于，分别在每一个所述单位测试模块两端中的低电位端通过串接一个主CMOS器件连通至第一电压端V0，用于控制相应的所述单位测试模块的导通和关闭，同时分别在每一个所述单位测试模块两端中的低电位端通过另串接一个副CMOS器件连通至第二电压端VS，每一个所述单位测试模块的两端中的高电位端连通第三电压端F；所述主CMOS器件的栅极与所述副CMOS器件的栅极共连。
2.如权利要求1所述的测试键回路，其特征在于，所述主CMOS器件和所述副CMOS器件均为NMOS。
3.如权利要求2所述的测试键回路，其特征在于，所述主CMOS器件的源极连通至第一电压端V0，所述副CMOS器件的源极与各个相应的所述主CMOS器件的漏极连通。
4.如权利要求2所述的测试键回路，其特征在于，每一个所述单位测试模块的电阻值计算方式如下：
R=（Vhigh-Vs）/Ihigh
其中，Vhigh代表在所述第三电压端F施加的高电压，Vs表示所述第二电压端VS的电压值，所述Ihigh表示所述第三电压端F的电流值。
5.如权利要求1所述的测试键回路，其特征在于，在测量所述单位测试模块中任意一个时，打开待测所述单位测试模块所对应的所述主CMOS器件和所述副CMOS器件，并关闭其他所述主CMOS器件和所述副CMOS器件。
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