[发明专利]双载子电晶体组件结构及其制造方法无效

申请号：	201210089928.2	申请日：	2012-03-28
公开（公告）号：	CN103165595A	公开（公告）日：	2013-06-19
发明（设计）人：	宋兆峰;谢彦敏	申请（专利权）人：	财团法人工业技术研究院
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L21/822
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	祁建国;尚群
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	双载子电晶体组件结构及其制造方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种半导体组件及其制造方法，特别是一种双载子电晶体组件结构及其制造方法。

背景技术

反相器(inverter)为积体电路中一个基础的组件。反相器可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，例如音频放大、时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常需要用到反相器。

一般而言，制作反相器有两种方式。第一种是制作单极性反相器，其直接由两个单极性的电晶体(PMOS或NMOS)组成互补逻辑。由于是单一型态PMOS或NMOS直接建构而成，所以源/漏极电极只需一种金属，而主动层材料也只需单一型态(P型或N型)材料。故其优点是可简化工艺，但缺点是信号容易失真，并有较高功率消耗。

第二种方式较为常见，是同时串接N型及P型有机薄膜电晶体组成互补性反相器电路，其优势除了有低功率消耗，并具备高稳定性和较高的杂噪宽容度。然而，如何将N型及P型主动层同时制作于同一个基板上，又必须进行个别的图案化工艺，当中要避免每一层材料特性受到损坏是相当有难度的。

若选择形成同时具备负/正载子传输的主动层，虽可使用单一主动层制作双极性场效电晶体来完成CMOS反相器电路，但也因双极性场效电晶体同时拥有电子传输及空穴传输特性，其组件开关比低，双极性场效电晶体在低电场操作时会有明显的电流产生，使得串接成反相器时，其增益(gain)过低，不利于其应用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种更适合应用逻辑电路的设计并可简化工艺的双载子电晶体组件结构及其制造方法。

为了实现上述目的，本发明提供了一种双载子电晶体组件结构，其中，包括：

一闸极，配置于一基板上；

一源极与一漏极，配置于所述基板上且位于所述闸极的两侧；

一介电层，配置于所述闸极及所述源极与所述漏极之间；

一双极性半导体层，至少配置于所述源极与所述漏极之间；以及

一载子阻挡层，配置于所述双极性半导体层及所述源极与所述漏极之间。

上述的双载子电晶体组件结构，其中，所述源极与所述漏极位于所述闸极上方。

上述的双载子电晶体组件结构，其中，所述双极性半导体层还延伸至所述源极与所述漏极上方。