[发明专利]双载子电晶体组件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种双载子电晶体组件结构，其特征在于，包括：

一闸极，配置于一基板上；

一源极与一漏极，配置于所述基板上且位于所述闸极的两侧；

一介电层，配置于所述闸极及所述源极与所述漏极之间；

一双极性半导体层，至少配置于所述源极与所述漏极之间；以及

一载子阻挡层，配置于所述双极性半导体层及所述源极与所述漏极之间。

2.如权利要求1所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述源极与所述漏极位于所述闸极上方。

3.如权利要求2所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层还延伸至所述源极与所述漏极上方。

4.如权利要求2所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层还延伸至所述源极与所述漏极下方。

5.如权利要求1所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述闸极位于所述源极与所述漏极上方。

6.如权利要求5所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层还延伸至所述源极与所述漏极上方。

7.如权利要求5所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层还延伸至所述源极与所述漏极下方。

8.如权利要求1所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层是由N型有机半导体材料与P型有机半导体材料堆叠所组成。

9.如权利要求1所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层是由N型有机半导体材料与P型有机半导体材料混合所组成。

10.如权利要求1所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层是由具双极特性的有机半导体材料所组成。

11.如权利要求1所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述双极性半导体层是由N型无机半导体材料与P型无机半导体材料堆叠所组成。

12.如权利要求1所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述载子阻挡层为一电子阻挡层。

13.如权利要求12所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述电子阻挡层是由一无机材料所组成，且所述无机材料包括WO₃、V₂O₅或MoO₃。

14.如权利要求12所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述电子阻挡层是由一有机材料所组成，且所述有机材料包括4’，4”-参(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1，O8)-(1，1’-联苯-4-羟基)铝。

15.如权利要求1所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述载子阻挡层为一空穴阻挡层。

16.如权利要求15所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述空穴阻挡层是由一无机材料所组成，且所述无机材料包括LiF、CsF或TiO₂。

17.如权利要求15所述的双载子电晶体组件结构，其特征在于，所述空穴阻挡层是由一有机材料所组成，且所述有机材料包括2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲啰啉。

18.一种双载子电晶体组件结构的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一源极与一漏极；

于所述基板上及至少所述源极与所述漏极之间依序形成一载子阻挡层及一双极性半导体层；

于所述双极性半导体层上形成一介电层；以及

于所述源极与所述漏极之间的所述介电层上形成一闸极，其中所述介电层将所述闸极、所述源极和所述漏极隔开。

19.如权利要求18所述的双载子电晶体组件结构的制造方法，其特征在于，形成所述载子阻挡层及所述双极性半导体层的步骤包括：

于所述基板上依序形成一载子阻挡材料层、一双极性半导体材料层以及一图案化光阻层；

以所述图案化光阻层为罩幕，依序对所述载子阻挡材料层及所述双极性半导体材料层进行蚀刻工艺，以移除部分所述载子阻挡材料层及部分所述双极性半导体材料层；以及

移除所述图案化光阻层。