[发明专利]用于提高MCU存储性能的方法及其对应的MCU芯片

权利要求书

1.一种MCU芯片，该MCU芯片包括外部存储器地址转换电路、片内地址产生逻辑、片内易失性存储器配置与控制器、片内易失性存储器、以及非易失性存储器；其特征在于，片内易失性存储器包括用于存储程序的程序区和用于存储数据的数据区；所述片内地址产生逻辑和片内易失性存储器配置与控制器通过易失性存储器地址总线通信连接，或两者一体形成于片内。

2.根据权利要求1所述的MCU芯片，其特征在于，所述程序区和数据区的容量的配比根据外部存储器中所储存的程序内容大小、所存储程序中记录的配置项或芯片外部引脚配置而改变。

3.根据权利要求1所述的MCU芯片，其特征在于，所述转换电路采用外部通用或专用总线接口控制器；所述片内地址产生逻辑外设通讯控制器、处理器地址累加器中的一个或多个组合。

4.根据权利要求1所述的MCU芯片，其特征在于，所述片内易失性存储器是SRAM；所述非易失性存储器包括片内用于存储数据的可擦写非易失性存储器以及片内用于存储引导程序的非易失性存储器。

5.根据权利要求2所述的MCU芯片，其特征在于：所述外部存储器地址转换电路通过外部存储器数据/地址总线与片外可擦写非易失性存储器通信连接。

6.一种提高MCU存储性能的方法，包括：

第一步：判断外部非易失性存储器是否存在；如不存在，直接进入第五步；

第二步：在第一步检测外部非易失性存储器存在的情况下，获取该存储器上用户程序信息；

第三步：识别用户程序信息，如果信息匹配，则根据程序数据量大小从片外非易失性存储器拷贝至片内易失性存储器中；

第四步：识别存储器转换标识，如果该标识存在，则进行片内存储器地址切换；

第五步：执行用户程序。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一步还包括：通过检测外部非易失性存储器的ID或其中特定的内容信息来判断外部非易失性存储器是否存在。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述用户程序信息包括程序标识、数据量大小和存储器转换标识。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，第四步还包括：将存在用户程序部分的易失性存储器用作只读区，当做传统MCU非易失性存储器；另一部分依然作为执行区。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述片内易失性存储器包括用于存储程序的程序区和用于存储数据的数据区；所述程序区和数据区的容量的配比根据外部存储器中所储存的程序内容大小、所存储程序中记录的配置项或芯片外部引脚配置而改变。