[发明专利]金属支架结构及发光二极管结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种金属支架结构及发光二极管结构，特别涉及一种应用方形扁平无接脚封装(Quad Flat No-lead)技术，以封装体封装金属支架的发光二极管结构，以及设置于发光二极管结构内的金属支架结构。

背景技术

为着改善现有发光二极管的工艺，已发展使用“方形扁平无接脚封装”(Quad Flat No-lead，QFN)技术制造发光二极管。其金属支架裸露于封装体的底面，具较佳散热效能；此外，产品也具有较薄的尺寸。

相关专利如本发明申请人的中国台湾专利公告号TW 551694的“表面粘着电子元件的金属支架结构”，其在于增加胶体与金属支架的连接强度，使产品在切割工艺时，改善胶材的剥离(peeling)的问题。

基于上述的基础，本发明针对QFN工艺的发光二极管封装结构，作进一步的研发改善。不仅考量承受机械剪力脱离的问题，更进一步考量多组金属支架之间连接部(bar)因切割工艺高温所造成胶材剥离及毛边问题。此外，QFN工艺的发光二极管封装结构由于金属支架裸露于封装体的底面，金属支架的两个导线架之间是水气入侵最短路径之处，产品容易因水气入侵固晶区而导致芯片发光效率的衰退，因此本发明也考量如何改善水气侵入的问题。

因此，本发明提出一种设计合理且有效改善上述问题的金属支架结构及其发光二极管结构。

发明内容

本发明所要解决的技术问题，在于提供一种发光二极管结构及其金属支架结构，利用蚀刻工艺的半蚀刻方式，以设计凸型导线架，以及半蚀的盲孔以加强金属支架与封装体之间的结合强度。

此外，本发明要解决的技术问题，还在于提供一种发光二极管结构及其金属支架结构，利用三段式结构以强化金属支架的两个导线架之间的电性绝缘区(即水气入侵最短路径)，借由多段式结构以阻绝水气入侵并强化胶材接着力。

为了解决上述技术问题，本发明的其中一种方案提供一种金属支架结构，其顶面封装一封装体且形成一透光部，该金属支架结构包括一金属支架，其包括有一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架朝向该第二导线架的边缘局部突出一凸出部，其中该第一导线架与该第二导线架之间形成一电性绝缘区，其中该金属支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其组合，该第一盲孔由该金属支架的顶面向下凹陷形成，且该第一盲孔的位置对应该透光部的内径轮廓，该第二盲孔靠近该电性绝缘区。

此外，为了解决上述技术问题，本发明还提供一种发光二极管结构，其包括一金属支架、至少一发光二极管芯片及一封装体。该金属支架包括有一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架面向该第二导线架的边缘突出一凸出部，该第一导线架与该第二导线架之间形成一电性绝缘区，其中该金属支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其组合，该第一盲孔由该金属支架的顶面向下凹陷形成，该第二盲孔靠近该电性绝缘区；该至少一发光二极管芯片设置于该金属支架上，且电性连接于该第一导线架及该第二导线架；该封装体包括一封装该金属支架的基部、及一位于该至少一发光二极管芯片上方的透光部，其中该第一盲孔的位置对应该透光部的内径轮廓。

本发明至少具有以下有益效果：本发明可克服因切割过程受机械剪力所造成与导线架剥离的问题。本发明利用半蚀刻技术，工艺更成熟，可提升量产良率。此外，提高封装的稳定性，增加产品可靠度和寿命。

为了能更进一步了解本发明为达成既定目的所采取的技术、方法及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明、附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得以深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1为本发明的发光二极管结构第一实施例的立体分解示意图。

图1A为本发明的金属支架的立体图。

图2为本发明的发光二极管结构的立体图。

图3为本发明的发光二极管结构的另一立体图。

图4为本发明的发光二极管结构的俯视图。

图4A为沿着图4中AA线的剖视图。

图5为本发明的发光二极管结构第二实施例的立体图。

图6为本发明的发光二极管结构第三实施例的立体图。

图6A为沿着图6中AA线的剖视图。

图7及图8为本发明的发光二极管结构第四实施例的立体图。

图9及图10为本发明的发光二极管结构第五实施例的立体图。

图11及图12为本发明的发光二极管结构第六实施例的立体图。