[发明专利]金属支架结构及发光二极管结构

权利要求书

1.一种金属支架结构，其顶面封装一封装体且形成一透光部，其特征在于，该金属支架结构包括：

一金属支架，其包括有一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架朝向该第二导线架的边缘局部突出一凸出部，其中该第一导线架与该第二导线架之间形成一电性绝缘区，其中该金属支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其组合，该第一盲孔由该金属支架的顶面向下凹陷形成，且该第一盲孔的位置对应该透光部的内径轮廓，该第二盲孔靠近该电性绝缘区。

2.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第一盲孔的形状呈弯弧形。

3.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架和该第二导线架的顶面靠近该电性绝缘区的边缘各形成该第二盲孔，该第一导线架的该第二盲孔与该第二导线架的该第二盲孔的位置彼此对应。

4.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该凸出部的转角各形成一斜边，该第二盲孔由该凸出部的所述多个斜边向内蚀刻而成。

5.如权利要求4所述的金属支架结构，其特征在于，该第二盲孔由该凸出部的该斜边向内蚀刻呈半圆形盲孔。

6.如权利要求5所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架和该第二导线架的该半圆形盲孔为一大的半圆形盲孔和一小的半圆形盲孔的搭配组合。

7.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第二盲孔的向下蚀刻深度小于该金属支架高度的一半，该金属支架高度由该金属支架的顶面和底面所界定。

8.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该金属支架的外缘底面向内形成一阶梯结构。

9.如权利要求8所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架及该第二导线架的底面具有至少一个由该阶梯结构向内凹陷形成的第三盲孔。

10.如权利要求9所述的金属支架结构，其特征在于，该金属支架的外缘向外突出多个连接部，其中每一个所述连接部的两侧对应于两个所述第三盲孔。

11.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架及该第二导线架靠近该电性绝缘区的顶面边缘各凹陷形成一上凹槽，该第一导线架及该第二导线架靠近该电性绝缘区的底面边缘各凹陷形成一下凹槽，借此形成一多段式结构。

12.如权利要求11所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架和该第二导线架所界定的二个上凹槽之间的宽度大于该电性绝缘区的宽度，该第一导线架和该第二导线架所界定的二个下凹槽之间的宽度大于该电性绝缘区的宽度。

13.如权利要求11所述的金属支架结构，其特征在于，该上凹槽的剖面呈弯弧状，该下凹槽的剖面呈矩形状。

14.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该金属支架还形成多个贯穿孔，每一贯穿孔具有一外露于该第一导线架顶面的上孔部、及一外露于该第一导线架底面的下孔部，该下孔部大于该上孔部。

15.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第二导线架形成一凹陷部或一凸出部，该第二导线架的凹陷部或该凸出部对应于该第一导线架的该凸出部。

16.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：

一金属支架，其包括有一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架面向该第二导线架的边缘突出一凸出部，该第一导线架与该第二导线架之间形成一电性绝缘区，其中该金属支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其组合，该第一盲孔由该金属支架的顶面向下凹陷形成，该第二盲孔靠近该电性绝缘区；

至少一发光二极管芯片，设置于该金属支架上，且电性连接于该第一导线架及该第二导线架；及

一封装体，包括一封装该金属支架的基部、及一位于该至少一发光二极管芯片上方的透光部，其中该第一盲孔的位置对应该透光部的内径轮廓。

17.如权利要求16所述的发光二极管结构，其特征在于，该基部包覆该第一导线架和该第二导线架，且该基部形成一凹陷部以承载该发光二极管芯片，该基部还具有一环状反射面以反射该发光二极管芯片的所发出的光线。