[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210088445.0 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367395A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 尹海州;蒋葳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括衬底、衬底中的浅沟槽隔离，其特征在于：
衬底与浅沟槽隔离之间还包括应力释放层。
2.如权利要求1的半导体器件，其中，应力释放层包括BSG、BPSG。
3.如权利要求1的半导体器件，其中，应力释放层的厚度为10～15nm。
4.如权利要求1的半导体器件，其中，应力释放层与衬底之间还包括衬垫层。
5.如权利要求4的半导体器件，其中，衬垫层至少包括氧化物的第一衬垫层和氮化物的第二衬垫层。
6.如权利要求1的半导体器件，其中，在浅沟槽隔离包围的有源区内形成半导体器件结构。
7.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：
在衬底中形成浅沟槽；
在浅沟槽中形成应力释放层；
在浅沟槽中填充绝缘材料，形成浅沟槽隔离；
退火，使得应力释放层流变以释放应力。
8.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，应力释放层包括BSG、BPSG。
9.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，应力释放层的厚度为10～15nm。
10.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，形成浅沟槽之后、形成应力释放层之前，还包括在浅沟槽中形成衬垫层。
11.如权利要求10的半导体器件制造方法，其中，衬垫层至少包括氧化物的第一衬垫层和氮化物的第二衬垫层。
12.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，在大于600℃温度下退火。
13.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，在衬底中形成浅沟槽的步骤具体包括：
在衬底上形成硬掩膜层；
光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜层图形，具有暴露衬底的开口；
以硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀开口中暴露的衬底，形成底面低于衬底上表面的浅沟槽。
14.如权利要求13的半导体器件制造方法，其中，硬掩膜层至少包括氧化物的第一硬掩膜层和氮化物的第二硬掩膜层。
15.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，在退火之后，还包括在浅沟槽隔离包围的有源区内形成半导体器件结构。
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