[发明专利]太阳电池用共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210087303.2 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102534501A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 袁玉珍;王辉;吴晓丽 | 申请(专利权)人: | 山东理工大学 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 255086 山东省淄博市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 掺杂 氧化锌 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于光电功能材料技术领域,具体涉及一种太阳电池用共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法。
背景技术
硅基薄膜太阳电池要求透明电极具有极低的光、电损失,高透过率和电导率以及在氢等离子体轰击下保持较好的稳定性。ZnO具有纤锌矿结构,室温禁带宽度为3.37eV;ZnO薄膜价格便宜,原材料丰富,无毒,因此被广泛应用到硅基薄膜太阳电池的研究中。适当的单元素掺杂能较大幅度地提高ZnO薄膜的电学性能,如Al、In、Ga等元素的掺杂,均能明显改善ZnO薄膜的电学性能,为此,近几年人们开始尝试通过共掺杂ZnO薄膜来获得具有优良光电性能的透明导电薄膜。现有技术中,对共掺杂ZnO透明导电薄膜的研究,包括Al、Mn共掺杂ZnO薄膜,Al、Gd共掺杂ZnO薄膜,Al、Cr共掺杂ZnO薄膜,Al、Co共掺杂ZnO薄膜等,虽然提供了该透明导电薄膜的电学性能,但也导致光性能的降低。而对于Al、Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的研究较少,偶见用溅射法制备出了Al、Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜,但存在的缺点是该透明导电薄膜的最小电阻率为2.2×10-2Ω﹒cm,可见光区的平均透过率达到85%,即其光电性能仍然有待提高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种太阳电池用共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法,它可以制备出具有优良光电性能的透明导电薄膜,为硅基薄膜太阳电池提供具有极低的光、电损失,高透过率和电导率,以及高稳定性的透明电极。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:太阳电池用共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法,使用高真空多靶位磁控溅射系统,用室温循环水对其冷却降温,用99.999%高纯氩气作为溅射气体,其特征在于:包括如下步骤:
a)将基片使用无水乙醇擦拭后,置于丙酮溶液内利用超声波清洗;
b)使用无水乙醇浸泡后使用去离子水反复冲洗;
c)将基片高温烘干,放入溅射室;所用靶材由ZnO、Al2O3和ZrO2混合烧结而成,ZnO、Al2O3和ZrO2的纯度均为99.99%,其中ZnO、Al2O3与ZrO2的质量分数分别为94%:1%:5%;
d)调整靶材与基片,使之平行放置,两者之间距离在40mm~80mm;溅射功率为140~160W;溅射压强在2~3Pa;流量15~25 cm3/min;真空度为2.6~3×10-4Pa;溅射时间为30~60min。
优选的,在所述步骤a)中,基片为25mm×50mm×1mm的载玻片,丙酮溶液为60℃,清洗时间为10min。
优选的,在所述步骤b)无水乙醇浸泡时间为20min。
优选的,在所述步骤c)中,基片烘干温度为150℃并保温6h。
优选的,在所述步骤d)中,靶材与基片间距为50mm;溅射功率为150W;溅射压强在2.5Pa;流量20cm3/min;真空度为2.8×10-4Pa;溅射时间为45min。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构,薄膜的最小电阻率为1.05×10-3Ω﹒cm,可见光范围透过率超过92%。相对于氧化铟锡薄膜,Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜,价格低廉且性能优异,在硅基薄膜太阳电池领域具有广阔的应用前景。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明做进一步描述:
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