[发明专利]触摸屏的制作方法和触摸屏有效

专利信息
申请号: 201210086965.8 申请日: 2012-03-28
公开(公告)号: CN102722277A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 黄炜赟;玄明花;高永益 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;安利霞
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 触摸屏 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及移动通信领域,特别是指一种触摸屏的制作方法和触摸屏。

背景技术

触摸屏可以分为电阻式和电容式两种。由于电容式触摸屏具有高敏感、长寿命、且支持多点触摸,成为时下的主流触摸技术。而电容式触摸屏又分为自感式触摸屏和互感式触摸屏。以下介绍几种互感式触摸屏的制作方法:

1、双层铟锡氧化物ITO(也可以是别的透明导电层图案)触摸屏:5Mask(光罩)模式

横向ITO层和竖向ITO分别采用两次沉积、两次mask。横向ITO与竖向ITO用SiNx(氮化硅)或OC(有机绝缘层)等绝缘层隔开,最后还需要一层保护层。加上Metal导电层以及过孔Via Hole,双层ITO触摸屏需要以下工序:Metal(沉积金属)→ITO1→SiNx(OC)1Via Hole→ITO2→SiNx(OC)2,总共需要5张Mask(光罩),制程较为复杂。

2、单层ITO触摸屏4Mask——Via Hole过孔模式

横向ITO和竖向ITO采用同一层沉积,采用一层Metal,通过过孔做桥接,将断开方向的ITO连接在一起(可以是横向,也可以是竖向)。具体步骤是ITO→SiNx(OC)1Via Hole→Metal→SiNx(OC)2,总共4张Mask。

另一种做法是:将Metal Mask和ITO Mask位置互换,Metal→SiNx(OC)1Via Hole→ITO→SiNx(OC)2

3、单层ITO触摸屏4Mask——Island岛模式

岛模式和过孔模式制程的不同之处在于,在SiNx(OC)1刻蚀或显影的时候,将横向ITO和竖向ITO交叉部分的SiNx(OC)的绝缘层保留,而将其余位置的绝缘层都去除,ITO→SiNx(OC)1Island→Metal→SiNx(OC),共4张Mask。

和过孔模式一样,此制程也可以将Metal Mask和ITO Mask位置互换,即:Metal→SiNx(OC)1Island→ITO→SiNx(OC)2

从以上可以看出,现有触摸屏的制程工艺比较复杂。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种触摸屏的制作方法和触摸屏,能够简化制程工艺。

为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:

一方面,提供一种触摸屏的制作方法,包括:

在基板上沉积金属,并经过第一次构图工艺,形成金属层图案,所述金属层图案包括显示区域的桥接线;

使用第一保护材料在形成有所述金属层图案的基板上进行喷墨打印,以将所述第一保护材料沉积在所述桥接线上,形成第一保护层图案;

在形成有所述第一保护层图案的基板上沉积透明导电材料,并经过第二次构图工艺,形成透明导电层图案;

在形成有所述透明导电层图案的基板上沉积绝缘材料,并经过第三次构图工艺,形成第二保护层图案。

所述第一保护层图案为岛状;并且所述第一保护层图案的厚度大于所述金属层图案的厚度;所述第一保护层图案的宽度小于所述金属层图案的宽度,使得所述金属层图案相对的第一侧和第二侧被裸露;所述第一保护层图案的长度大于所述金属层图案的长度,使得所述金属层图案相对的第三侧和第四侧被覆盖;

所述透明导电层图案的范围大于所述第一保护层图案的范围,使得所述透明导电层图案和所述金属层图案在所述金属层图案相对的第一侧和第二侧的位置处电连接。

所述金属层图案还包括:焊盘区域的电路线;

所述透明导电层图案包括:焊盘区域的透明导电层图案和显示区域的透明导电层图案;

所述第二保护层图案覆盖所述显示区域的透明导电层图案,并裸露所述焊盘区域的透明导电层图案。

所述透明导电层图案为铟锡氧化物层;

所述第一保护层图案和所述第二保护层图案由丙烯基树脂和环氧树脂制成,或者,所述第一保护层图案和所述第二保护层图案由氮化硅制成。

所述透明导电层图案的形状为菱形。

另一方面,提供一种触摸屏,包括:

基板;

金属层图案,是经过在所述基板上沉积金属并经过第一次构图工艺而形成的,所述金属层图案包括显示区域的桥接线;

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