[发明专利]一种光学防伪元件及使用该光学防伪元件的产品

权利要求书

1.一种光学防伪元件，该光学防伪元件包括基材、位于所述基材的第一表面上且至少部分覆盖所述基材的第一表面的微浮雕结构以及位于所述基材的第二表面上且至少部分覆盖所述基材的第二表面的反射层，其中，所述微浮雕结构包括微透镜阵列以及嵌套在所述微透镜阵列中且与所述微透镜阵列位于同一平面内但与所述微透镜阵列不重合的微图文阵列，所述微透镜阵列能够通过所述反射层对所述微图文阵列进行采样合成，从而形成再现图像。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述微浮雕结构与所述反射层之间的距离为所述微透镜阵列的焦距的二分之一。

3.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述微透镜阵列为由多个微透镜单元构成的周期性阵列和/或非周期性阵列和/或随机性阵列和/或局部周期性阵列。

4.根据权利要求3所述的光学防伪元件，其中，所述微透镜单元为折射型和/或衍射型微透镜。

5.根据权利要求4所述的光学防伪元件，其中，所述微透镜单元的焦距为10微米至200微米。

6.根据权利要求3所述的光学防伪元件，其中，所述微透镜单元的焦距为20微米至60微米。

7.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述微图文阵列为由多个微图文单元构成的周期性阵列和/或非周期性阵列和/或随机性阵列和/或局部周期性阵列。

8.根据权利要求3至7中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述周期为10微米至200微米。

9.根据权利要求3至7中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述周期为40微米至100微米。

10.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述微浮雕结构的加工深度小于15微米。

11.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述微浮雕结构的加工深度为0.5微米至10微米。

12.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述微浮雕结构的表面上覆盖有保护层，并且当所示微浮雕结构与所述保护层直接接触时，所述保护层的折射率小于所述微浮雕结构的折射率，并且两者的折射率的差值大于或等于0.3。

13.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，该光学防伪元件还包括位于所述微浮雕结构的上表面和/或所述微浮雕结构的下表面和/或所述基材中和/或所述反射层的上表面和/或所述反射层中和/或所述反射层的下表面的、能够实现颜色效果的功能层。

14.根据权利要求13所述的光学防伪元件，其中，所述功能层还具有衍射光变特征、干涉光变特征、微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征和/或用于机读的磁、光、电、放射性特征。

15.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述反射层为单层结构或多层结构，并且每层结构由金属、介质或金属和介质的组合构成。

16.根据权利要求15所述的光学防伪元件，其中，所述反射层中形成有镂空图案。

17.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述反射层为能够对反射光进行调制的浮雕结构。

18.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述光学防伪元件还包括位于所述光学防伪元件的一面或两面上的粘结层。

19.根据权利要求18所述的光学防伪元件，其中，当所述粘结层与所述微浮雕结构直接接触时，所述粘结层的折射率小于所述微浮雕结构的折射率，并且两者的折射率差值大于或等于0.3。

20.使用根据权利要求1至19中任一项权利要求所述的光学防伪元件的防伪产品。