[发明专利]齐纳二极管结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种半导体元件结构及其制造方法，且特别是关于一种齐纳二极管结构及其制造方法。

背景技术

齐纳二极管(Zener Diode)因其运作于逆向崩溃电压时可稳定提供逆向崩溃电压，因而具有稳定电压的功能。齐纳二极管已广泛运用于整流器、电源稳压电路或过电压保护电路等用途。另外，齐纳二极管通常可通过焊接方式于其他电子元件连接于电路板上或是利用导电胶粘合方式与积体电路崁入封装于芯片或印刷电路板上。

请参照图1，图1为传统齐纳二极管结构示意图。目前市面上的齐纳二极管结构如图1所示，齐纳二极管结构10包括第一型半导体层103(例如N型半导体层)、第二型半导体层105(例如P型半导体层)、钝化层107(passivation layer)、金属垫(metal pad)101、109。其中，金属垫101、109为相反极性的金属垫，例如阳极与阴极，且电性绝缘。此外，第二型半导体层105位于第一型半导体层103内的一预定区域。第一型半导体层103及第二型半导体层105另通过布设一层钝化层107与金属垫109相结合。金属垫101设置于第一型半导体层103的底部，而金属垫109设置于第一、第二型半导体层103、105的上方。此外，金属垫101一般会封装于电路板或芯片中，而金属垫109则可通过打线方式与其他崁入式电子元件相连接。

然当具上述结构的齐纳二极管通过导电胶111的粘着方式封装于电路板113上时，如图1所示，导电胶111通常会因封装时的压挤而溢胶，造成金属垫109以及金属垫101因导电胶111延伸爬胶而相连接，而形成短路，从而降低工艺良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种齐纳二极管结构，通过设置隔离层于齐纳二极管结构上方的电极的周围，有效地降低齐纳二极管封装于电路板时，因导电胶溢出所造成的短路的机率。

本发明实施例提供一种齐纳二极管结构，此齐纳二极管结构包括第一型半导体层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及隔离层。其中，第二型半导体层位于第一型半导体层内的一预定区域中。第一电极位于第一型半导体层的底部。第二电极位于第一型半导体层与第二型半导体层上，且对应于第二型半导体层。隔离层位于第一型半导体层及第二型半导体层之上，并围绕着第二电极。

在本发明其中一个实施例中，上述第一型半导体层可以是N型半导体层，而上述第二型半导体层可以是P型半导体层。

在本发明其中一个实施例中，上述第一型半导体层可以是P型半导体层，而上述第二型半导体层可以是N型半导体层。

在本发明其中一个实施例中，上述第一电极为阴极，而上述第二电极为阳极。

在本发明其中一个实施例中，上述隔离层为金属氧化物。

在本发明其中一个实施例中，上述隔离层是由绝缘材料所构成。

本发明实施例提供一种齐纳二极管结构的制造方法，包括：首先，提供第一电极；其次，形成第一型半导体层于第一电极上；其后，在第一型半导体层内的一预定区域内形成第二型半导体层；接着，形成第二电极于第一、第二型半导体层之上；而后，形成隔离层于第二电极的周围，并且完全覆盖第二电极的侧壁。

综上所述，本发明实施例提供一种齐纳二极管结构，通过布设围绕于齐纳二极管结构中第二电极侧壁的隔离层，例如对第二电极的外围区域施以氧化处理形成绝缘隔离层，以防止齐纳二极管于封装时，因溢胶导致的短路现象发生，从而提升工艺良率。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅是用来说明本发明，而非对本发明的权利范围作任何的限制。

附图说明

图1是传统齐纳二极管结构的示意图。

图2是本发明第一实施例的齐纳二极管结构的示意图。

图3是本发明第二实施例的齐纳二极管结构的示意图。

图4是本发明第三实施例的齐纳二极管结构的示意图。

图5是本发明第四实施例的齐纳二极管的制作方法的流程图。

图6A～6E是根据本发明第四实施例的齐纳二极管结构工艺示意图。

其中，附图标记说明如下：

10、20、30、40、50：齐纳二极管结构

101、109：金属垫

107：钝化层

111：导电胶

113：电路板

201、501：第一电极

103、203、503：第一型半导体层

105、205、505：第二型半导体层