[发明专利]齐纳二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种齐纳二极管结构，其特征在于包括：

一第一型半导体层；

一第二型半导体层，位于该第一型半导体层内的一预定区域中；

一第一电极，位于该第一型半导体层底部；

一第二电极，位于该第一、第二型半导体层上；以及

一隔离层，位于该第一、第二型半导体层上且围绕该第二电极。

2.如权利要求1所述的齐纳二极管结构，其特征在于该第一型为N型，该第二型为P型。

3.如权利要求2所述的齐纳二极管结构，其特征在于该第一电极是阴极，该第二电极是阳极。

4.如权利要求1所述的齐纳二极管结构，其特征在于该第一型为P型，该第二型为N型。

5.如权利要求4所述的齐纳二极管结构，其特征在于该第一电极是阳极，该第二电极是阴极。

6.如权利要求1～5中任一项所述的齐纳二极管结构，其特征在于该隔离层的高度大于或等于该第二电极的高度。

7.如权利要求1～5中任一项所述的齐纳二极管结构，其特征在于该隔离层是由该第二电极的外缘经氧化形成的。

8.如权利要求7所述的齐纳二极管结构，其特征在于该第二电极是金属材料所构成。

9.如权利要求8所述的齐纳二极管结构，其特征在于该隔离层是金属氧化物。

10.如权利要求1所述的齐纳二极管结构，其特征在于该隔离层是由绝缘材料所构成。

11.如权利要求1所述的齐纳二极管结构，其特征在于该隔离层分别与该第一型、第二型半导体层部分重叠。

12.一种齐纳二极管结构的制造方法，其特征在于包括：

提供一第一电极；

形成一第一型半导体层于该第一电极上；

在该第一型半导体层内的一预定区域内形成一第二型半导体层；

形成一第二电极于该第一、第二型半导体层上；

形成一隔离层于该第二电极的周围，并且完全覆盖该第二电极的侧壁。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于该第一型为N型，该第二型为P型。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于该第一电极是阴极，该第二电极是阳极。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于该第一型为P型，该第二型为N型。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于该第一电极是阳极，该第二电极是阴极。

17.如权利要求12～16中任一项所述的方法，其特征在于该隔离层的高度大于或等于该第二电极的高度。

18.如权利要求12～16中任一项所述的方法，其特征在于该第二电极是金属材料。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于形成该隔离层的步骤更包括：

提供一掩模，遮蔽该第二电极对应于该第二型半导体层的中央区域；

施以一氧化处理，使得该第二电极未被该掩模遮蔽的区域被氧化而形成一金属氧化物构成的隔离层；以及

移除该掩模。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于在形成该第二型半导体层的步骤更包括：

在该第一型半导层的该预定区域中掺杂第二型杂质以形成该第二型半导体层。