[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一MOSFET；

第二MOSFET；

第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；

第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有第二应力；

其中，第二应力衬层和/或第一应力衬层包括金属氧化物。

2.如权利要求1的半导体器件，其中，第一MOSFET与第二MOSFET类型不同，第一应力与第二应力不同。

3.如权利要求1的半导体器件，其中，金属氧化物包括高k材料、难熔金属氧化物、非晶态氧化物半导体及其组合。

4.如权利要求3的半导体器件，其中，高k材料，包括选自HfO₂、HfSiO_x、HfSiON、HfAlO_x、HfTaO_x、HfLaO_x、HfAlSiO_x、HfLaSiO_x的铪基材料，或是包括选自ZrO₂、La₂O₃、LaAlO₃、TiO₂、Y₂O₃的稀土基高K介质材料，或是包括Al₂O₃，以其上述材料的复合层。

5.如权利要求3的半导体器件，其中，难熔金属氧化物，包括但不限于NiO_x、WO_x、铁基氧化物及其组合。

6.如权利要求3的半导体器件，其中，非晶态氧化物半导体包括掺In的ZnO基半导体、或其它二元或多元非晶态氧化物半导体，掺In的ZnO基半导体包括InGaZnO、InZnO、HfInZnO、TaInZnO、ZrInZnO、YInZnO、AlInZnO、SnInZnO及其组合，其它二元或多元非晶态氧化物半导体包括In₂O₃、ZTO、ITO、ZnO、SnO_x及其组合。

7.如权利要求1的半导体器件，其中，第一应力衬层和/或第二应力衬层下方包括缓冲层，或者第一应力衬层和/或第二应力衬层上方包括覆盖层。

8.如权利要求7的半导体器件，其中，缓冲层和/或覆盖层包括氧化硅、氮化硅及其组合。

9.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：

形成第一MOSFET和第二MOSFET；

选择性地在第二MOSFET上形成第二应力衬层，具有第二应力；

选择性地在第一MOSFET上形成第一应力衬层，具有第一应力；

完成后续工艺；

其中，第二应力衬层和/或第一应力衬层包括金属氧化物。

10.如权利要求9的半导体器件制造方法，其中，第一MOSFET与第二MOSFET类型不同，第一应力与第二应力不同。

11.如权利要求9的半导体器件制造方法，其中，金属氧化物包括高k材料、难熔金属氧化物、非晶态氧化物半导体及其组合。

12.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，高k材料，包括选自HfO₂、HfSiO_x、HfSiON、HfAlO_x、HfTaO_x、HfLaO_x、HfAlSiO_x、HfLaSiO_x的铪基材料，或是包括选自ZrO₂、La₂O₃、LaAlO₃、TiO₂、Y₂O₃的稀土基高K介质材料，或是包括Al₂O₃，以其上述材料的复合层。

13.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，难熔金属氧化物，包括但不限于NiO_x、WO_x、铁基氧化物及其组合。