[发明专利]减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法、MOS器件制造方法无效
| 申请号： | 201210081515.X | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102610507A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 半导体器件 诱导 泄漏 方法 mos 器件 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于包括：在对半导体器件的漏端和源端进行环状注入时，漏端环状注入的注入方向相对竖直方向朝漏端倾斜第一锐角，源端环状注入的注入方向相对竖直方向朝源端倾斜第二锐角；并且，漏端环状注入的注入方向与竖直方向夹角大于源端环状注入的注入方向与竖直方向夹角。
2.根据权利要求1所述的减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于，漏端环状注入的注入方向与竖直方向之间的第一锐角为32度，源端环状注入的注入方向与竖直方向之间的第二锐角为28度。
3.根据权利要求1或2所述的减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于，源端冶金结的空间电荷区向沟道内延伸。
4.一种MOS器件制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1所述的减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法。
5.一种根据权利要求4所述的MOS器件制造方法制成的MOS器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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