[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法无效
| 申请号： | 201210081213.2 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102610501A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 效应 存储 单元 写入 速度 刻蚀 方法 | ||
1.一种提高浮体效应存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；
在所述衬底上形成侧墙沉积层；
在所述源极区域上方的侧墙沉积层上形成光刻胶层；
采用中性离子对漏极区域上方的侧墙沉积层进行离子注入；
去除所述光刻胶层，对所述侧墙沉积层进行刻蚀，以在所述源极区域上方形成源极侧墙，并在所述漏极区域上方形成漏极侧墙，所述源极侧墙的截面宽度大于所述漏极侧墙的截面宽度。
2.如权利要求1所述的提高浮体效应存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法，其特征在于，所述中性离子为锗离子或氙离子。
3.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；
以所述栅极结构为掩膜，在栅极结构两侧的衬底内进行轻掺杂，形成源极延伸区和漏极延伸区；
在所述衬底上形成侧墙沉积层；
在所述源极区域上方的侧墙沉积层上形成光刻胶层；
采用中性离子对漏极区域上方的侧墙沉积层进行离子注入；
去除所述光刻胶层，并对所述侧墙沉积层进行刻蚀，以在所述源极区域上方形成源极侧墙，在所述漏极区域上方形成漏极侧墙，所述源极侧墙的截面宽度大于所述漏极侧墙的截面宽度；
进行源漏重掺杂以及退火工艺，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述源极重掺杂区和漏极重掺杂区为非对称结构，所述漏极重掺杂区比源极重掺杂区更靠近沟道。
4.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述中性离子为锗离子或氙离子。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括源极区域和漏极区域；
形成于所述衬底上的栅极结构；
形成于所述源极区域上方的源极侧墙以及形成于所述漏极区域上方的漏极侧墙，所述源极侧墙的截面宽度大于漏极侧墙的截面宽度；
形成于所述衬底中的源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述源极重掺杂区和漏极重掺杂区为非对称结构，所述漏极重掺杂区比源极重掺杂区更靠近沟道。
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