[发明专利]非挥发性存储器棋盘格测试电路及其检测方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器棋盘格测试电路，用于对容量为2^N个存储单元的非挥发性存储器进行棋盘格测试，其特征在于，棋盘格测试电路包括：棋盘格地址产生电路、读控制信号产生电路、数据比较电路；

所述棋盘格地址产生电路用于输出测试地址到所述非挥发性存储器，所述棋盘格地址产生电路包括N位地址寄存器、N位带进位/借位的加/减法器和加/减控制电路；

每1位加/减法器都能实现1位数据与一位进/借位位或数据相加减，并输出新的数据和新的进/借位位；

所述N位地址寄存器和N位加/减法器的连接关系为：

第0位加/减法器由第0位地址寄存器的值与1相加/减，产生新的第0位地址送到所述第0位地址寄存器，同时产生一个进位/借位位，送到第1位加法器的输入端；

第n位加/减法器由第n-1位加/减法器的进位/借位位与第n位地址寄存器的值相加，产生新的第n位地址送到所述第n位地址寄存器，同时产生第n位进位/借位位，其中n为1至N-1之间的值；

以第N-1位加/减法器的进位/借位位作为检测结束信号，用于控制所述棋盘格测试电路的检测结束。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器棋盘格测试电路，其特征在于：当所述检测结束信号为1时，所述棋盘格测试电路的检测结束。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器棋盘格测试电路，其特征在于：所述读控制信号产生电路产生一读控制信号，用于控制所述非挥发性存储器中位于所述测试地址处的数据的读取；所述检测结束信号输入到所述读控制信号产生电路，当所述检测结束信号为1时，所述读控制信号产生电路结束工作。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器棋盘格测试电路，其特征在于：所述数据比较电路用于检测从所述非挥发性存储器中所读取的数据是否和预期值相同；所述检测结束信号输入到所述数据比较电路，当所述检测结束信号为1时，所述数据比较电路结束工作。

5.一种非挥发性存储器棋盘格测试电路，用于对容量为2^M+2^M1个存储单元的非挥发性存储器进行棋盘格测试，令M大于M1，其特征在于，棋盘格测试电路包括：棋盘格地址产生电路、读控制信号产生电路、数据比较电路；

所述棋盘格地址产生电路用于输出测试地址到所述非挥发性存储器，所述棋盘格地址产生电路包括M+1位地址寄存器、M位带进位/借位的加/减法器和加/减控制电路；

每1位加/减法器都能实现1位数据与一位进/借位位或数据相加减，并输出新的数据和新的进/借位位；

所述M+1位地址寄存器和M位加/减法器的连接关系为：

第0位加/减法器由第0位地址寄存器的值与1相加/减，产生新的第0位地址送到所述第0位地址寄存器，同时产生一个进位/借位位，送到第1位加法器的输入端；

第n位加/减法器由第n-1位加/减法器的进位/借位位与第n位地址寄存器的值相加，产生新的第n位地址送到所述第n位地址寄存器，同时产生第n位进位/借位位，其中n为1至M-1之间的值；

以第M-1位加/减法器的进位/借位位和第M1-1位加/减法器的进位/借位位的与值作为检测结束信号，用于控制所述棋盘格测试电路的检测结束。

6.如权利要求5所述的非挥发性存储器棋盘格测试电路，其特征在于：当所述检测结束信号为1时，所述棋盘格测试电路的检测结束。

7.如权利要求5所述的非挥发性存储器棋盘格测试电路，其特征在于：所述读控制信号产生电路产生一读控制信号，用于控制所述非挥发性存储器中位于所述测试地址处的数据的读取；所述检测结束信号输入到所述读控制信号产生电路，当所述检测结束信号为1时，所述读控制信号产生电路结束工作。

8.如权利要求5所述的非挥发性存储器棋盘格测试电路，其特征在于：所述数据比较电路用于检测从所述非挥发性存储器中所读取的数据是否和预期值相同；所述检测结束信号输入到所述数据比较电路，当所述检测结束信号为1时，所述数据比较电路结束工作。

9.如权利要求1至8所述的非挥发性存储器棋盘格测试电路的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在所述棋盘格地址产生电路中设定所述测试地址的初始值并输出到所述非挥发性存储器；

步骤二、所述读控制信号产生电路产生所述读控制信号；

步骤三、所述数据比较电路从所述非挥发性存储器中读取位于所述测试地址处的数据并检测所读取的数据是否和预期值相同；

步骤四、所述棋盘格地址产生电路对所述测试地址进行加操作或减操作；

步骤五、重复步骤三和步骤四，直到所述检测结束信号为1时，所述数据比较电路结束工作。