[发明专利]P波段高次谐波抑制微型低通滤波器有效
申请号: | 201210078084.1 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102571020A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 戴永胜;韩群飞;束锋;戚湧;冯媛;左同生;孙宏途;汉敏;尹洪浩;李平;谢秋月;范小龙;郭风英;吴建星;韦晨君;李旭;吴迎春;陈建锋;王立杰;陈少波;徐利;周聪;张红;陈曦;於秋杉;杨健 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学常熟研究院有限公司 |
主分类号: | H03H7/09 | 分类号: | H03H7/09 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 215513 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波段 谐波 抑制 微型 滤波器 | ||
1.一种P波段高次谐波抑制微型低通滤波器,其特征在于:包括表面安装的50欧姆阻抗输入端口(P1)、输入电感(Lin)、第一接地电容(C1)、第一级串联电感(L1)、第二接地电容(C2)、第二级串联电感 (L2)、第三接地电容(C3)、第三级串联电感(L3)、第四接地电容(C4)、第一级零点电容 (C5)、第二级零点电容(C6)、输出电感(Lout)、表面安装的50欧姆阻抗输出端口(P2)和接地端;表面安装的50欧姆阻抗输入端口(P1)一端接输入信号,另一端接输入电感(Lin)的一端,输入电感(Lin)的另一端和第一接地电容(C1)、第一级串联电感(L1)、第一级零点电容 (C5)的公共连接端相连接,其中第一级串联电感(L1)和第一级零点电容 (C5)并联组成第一级并联谐振单元(L1,C5);第一级并联谐振单元(L1,C5)的另一端与第二接地电容(C2)、第二级串联电感 (L2)、第二级零点电容(C6)的公共端相连接,其中第二级串联电感(L2)和第二级零点电容 (C6)并联组成第二级并联谐振单元(L2,C6);第二级并联谐振单元(L2,C6)的另一端与第三级串联电感(L3)、第三接地电容(C3)的公共端相连接;第三级串联电感(L3)的另一端与第四接地电容(C4)、输出电感(Lout)的公共端相连接,输出电感(Lout)的另一端与输出端口(P2)的一端连接,输出端口(P2)的另一端接输出信号;第一接地电容(C1)、第二接地电容(C2)、第三接地电容(C3)、第四接地电容(C4)的另一端分别接地。
2.根据权利要求1所述的P波段高次谐波抑制微型低通滤波器,其特征在于:输入端口(P1)、输入电感(Lin)、第一接地电容(C1)、第一级串联电感(L1)、第二接地电容(C2)、第二级串联电感 (L2)、第三接地电容(C3)、第三级串联电感(L3)、第四接地电容(C4)、第一级零点电容 (C5)、第二级零点电容(C6)、输出电感(Lout)、表面安装的50欧姆阻抗输出端口(P2)和接地端均采用多层低温共烧陶瓷工艺实现;其中输入电感(Lin)、第一级串联电感(L1)、输出电感(Lout)均采用分布参数的带状线实现;第二级串联电感(L2)、第三级串联电感(L3) 均采用多层耦合带状线以圆形方式绕制而成,层间通过圆形通孔相连;第一接地电容(C1)、第二接地电容(C2)、第三接地电容(C3)、第四接地电容(C4)、第一级零点电容 (C5)、第二级零点电容(C6)均采用介质平板电容实现。
3.根据权利要求1所述的P波段高次谐波抑制微型低通滤波器,其特征在于:第一接地电容(C1)、第二接地电容(C2)、第三接地电容(C3)、第四接地电容(C4)均采用两层介质平板电容实现,其中一层带状线分别接第一级串联电感(L1)、第二级串联电感(L2)、第三
级串联电感(L3)的一端,另一层是地。
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