[发明专利]触控面板之导电薄膜及其制造方法无效
申请号: | 201210076695.2 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN103325441A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 李裕文;许贤斌;林奉铭;阮克铭 | 申请(专利权)人: | 宸鸿科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041 |
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地址: | 361009 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面板 导电 薄膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种触控面板之导电薄膜,包括:
一薄膜,用于感测触控信号;
复数个斥水单元,间隔设置于该薄膜中。
2.如权利要求5之触控面板之导电薄膜,其中该薄膜系透明薄膜。
3.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中该复数个斥水单元的材料为斥水性材料。
4.如权利要求3之导电薄膜,其中该斥水性材料至少系防指纹镀膜、离型剂、脱模剂、硅油与硅利康。
5.如权利要求4之触控面板之导电薄膜,其中该防指纹镀膜是碳氟化合物。
6.如权利要求5之触控面板之导电薄膜,其中该碳氟化合物的通式为F(C3HOF4)nC2F4(CH2)mO(CH2)aSi(OR)3,
其中m、a为1至6的整数,而R为最多含6个碳的甲基。
7.如权利要求6之触控面板之导电薄膜,其中该碳氟化合物至少系F(C3HOF4)nC2F4CH2O(CH2)3Si(OMe)3、F(C3HOF4)nC2F4CH2O(CH2)3Si(OMe)3OSMe2(CH2)2Si(OMe)3、F(C3HOF4)nC2F4CONH(CH2)3Si(OMe)3和F(C3HOF4)nC2F4CONH(CH2)3SiMe2OSMe2(CH2)2Si(OMe)3。
8.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中该斥水单元的形状为圆形、正方形、矩形、菱形、五边形或六边形。
9.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中该触控面板之导电薄膜系形成于一基板上。
10.如权利要求9之触控面板之导电薄膜,其中该基板为玻璃板或聚对苯二甲酸乙二酯板。
11.如权利要求9之触控面板之导电薄膜,其中该复数个斥水单元是以正方形、矩形、菱形或六角形的排列方式形成于该基板上。
12.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中该薄膜的材料为水溶性导电材料。
13.如权利要求12之触控面板之导电薄膜,其中该水溶性导电材料系导电高分子、奈米碳管与奈米银线中的至少一种。
14.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中更包括一保护膜,该保护膜覆盖于该薄膜上。
15.如权利要求13之触控面板之导电薄膜,其中该保护膜的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、丙烯酸类树脂中的至少一种。
16.一种触控面板之电极层,包括:
复数个电极,系由图案化的导电薄膜形成;以及
复数个斥水单元,间隔设置于复数个电极中。
17.如权利要求16之触控面板之电极层,其中该复数个电极包括:
沿第一轴向分布的第一电极阵列和沿第二轴向分布的第二电极阵列,该第一电极阵列与第二电极阵列彼此电性绝缘。
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