[发明专利]触控面板之导电薄膜及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210076695.2 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN103325441A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 李裕文;许贤斌;林奉铭;阮克铭 申请(专利权)人: 宸鸿科技(厦门)有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 面板 导电 薄膜 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种触控面板之导电薄膜,包括:

一薄膜,用于感测触控信号;

复数个斥水单元,间隔设置于该薄膜中。

2.如权利要求5之触控面板之导电薄膜,其中该薄膜系透明薄膜。

3.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中该复数个斥水单元的材料为斥水性材料。

4.如权利要求3之导电薄膜,其中该斥水性材料至少系防指纹镀膜、离型剂、脱模剂、硅油与硅利康。

5.如权利要求4之触控面板之导电薄膜,其中该防指纹镀膜是碳氟化合物。

6.如权利要求5之触控面板之导电薄膜,其中该碳氟化合物的通式为F(C3HOF4)nC2F4(CH2)mO(CH2)aSi(OR)3

其中m、a为1至6的整数,而R为最多含6个碳的甲基。

7.如权利要求6之触控面板之导电薄膜,其中该碳氟化合物至少系F(C3HOF4)nC2F4CH2O(CH2)3Si(OMe)3、F(C3HOF4)nC2F4CH2O(CH2)3Si(OMe)3OSMe2(CH2)2Si(OMe)3、F(C3HOF4)nC2F4CONH(CH2)3Si(OMe)3和F(C3HOF4)nC2F4CONH(CH2)3SiMe2OSMe2(CH2)2Si(OMe)3

8.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中该斥水单元的形状为圆形、正方形、矩形、菱形、五边形或六边形。

9.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中该触控面板之导电薄膜系形成于一基板上。

10.如权利要求9之触控面板之导电薄膜,其中该基板为玻璃板或聚对苯二甲酸乙二酯板。

11.如权利要求9之触控面板之导电薄膜,其中该复数个斥水单元是以正方形、矩形、菱形或六角形的排列方式形成于该基板上。

12.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中该薄膜的材料为水溶性导电材料。

13.如权利要求12之触控面板之导电薄膜,其中该水溶性导电材料系导电高分子、奈米碳管与奈米银线中的至少一种。

14.如权利要求1之触控面板之导电薄膜,其中更包括一保护膜,该保护膜覆盖于该薄膜上。

15.如权利要求13之触控面板之导电薄膜,其中该保护膜的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、丙烯酸类树脂中的至少一种。

16.一种触控面板之电极层,包括:

复数个电极,系由图案化的导电薄膜形成;以及

复数个斥水单元,间隔设置于复数个电极中。

17.如权利要求16之触控面板之电极层,其中该复数个电极包括:

沿第一轴向分布的第一电极阵列和沿第二轴向分布的第二电极阵列,该第一电极阵列与第二电极阵列彼此电性绝缘。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宸鸿科技(厦门)有限公司,未经宸鸿科技(厦门)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210076695.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top