[发明专利]具有强化板的半导体封装及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装及其制造方法，且特别是有关于一种具有强化板的半导体封装及其制造方法。 

背景技术

传统应用于高电压工作环境的导线架需要具有足够厚度。若导电架的厚度不足，则容易因为高电压工作下产生的高热致使导线架变形。基于此原因，应用于高电压工作环境下的导线架多采用双尺寸(dual-gauge)导线架，其部分厚度可较厚，以提升整体的强度。 

然而，双尺寸导线架的厚度介于48至52密耳(mil)，其厚度甚厚而显得笨重。此外，双尺寸导线架的成本高且工艺复杂，使得应用此种导线架的半导体封装的成本无法有效降低。 

发明内容

本发明有关于一种半导体封装及其制造方法，一实施例中，在采用强化板的设计下，可达到采用双尺寸导线架的功效。 

根据本发明的一实施例，提出一种半导体封装。半导体封装包括一导线架、一强化板、一半导体芯片、一焊线及一封装体。强化板设于导线架上。半导体芯片设于导线架上。焊线连接半导体芯片与导线架。封装体包覆强化板、半导体芯片及焊线。 

根据本发明的另一实施例，提出一种半导体封装的制造方法。制造方法包括以下步骤。设置一强化板于一导线架上；设置一半导体芯片于强化板上；以一焊线连接半导体芯片与导线架；以及，形成一封装体包覆强化板、半导体芯片及焊线。 

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图， 作详细说明如下： 

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的半导体封装的外观图。 

图2绘示依照本发明另一实施例的半导体封装的外观图。 

图3绘示依照本发明另一实施例的半导体封装的外观图。 

图4绘示依照本发明另一实施例的半导体封装的外观图。 

图5绘示依照本发明另一实施例的半导体封装的外观图。 

图6A至6G绘示依照本发明一实施例的半导体封装的制造过程图。 

图7A至7B绘示依照本发明另一实施例的半导体封装的制造过程图。 

图8绘示依照本发明另一实施例的半导体封装的制造过程图。 

主要元件符号说明： 

100、200、300、400：半导体封装 

110：导线架 

110r：凹槽 

111：引脚 

120、120’、220、320：强化板 

121、221：板材 

122、222：电镀层 

130、230：结合层 

140：半导体芯片 

150：焊线 

160：第一黏胶 

170：封装体 

180、480：强化夹 

190：第二黏胶 

具体实施方式

请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装的外观图。半导体封装100包括导线架110、强化板120、结合层130、半导体芯片140、焊线150、第一黏胶160、封装体170、强化夹180及第二黏胶190。为清楚表示封装体170内的元件，封装体170以虚线绘制。 

本实施例中，导线架110的厚度不超过20密耳(mil)，其等同于单尺寸(single-gauge)导线架的尺寸规格。此外，导线架110的材质例如是铜。 

强化板120通过结合层130设于导线架110上。强化板120提供一大散热表面积，使半导体芯片140的热量可快速地传导至封装体170。此外，经由强化板120增加导线架110的强度，可使导线架110适用于高电压工作环境。进一步地说，本实施例的导线架110在厚度不超过20密耳的情况下，仍可适用于高电压工作环境。 

如图1的放大图所示，强化板120包括板材121及电镀层122。电镀层122形成于板材121上，本实施例中，电镀层122包覆整个板材121，另一实施例中，电镀层122可形成于板材121的数个表面的其中一个或几个上。本实施例中，板材121铜板，而电镀层122铁镀层。铁镀层的质地硬，可提升导线架110的强度，减少导线架110的热变形量。此外，铁镀层的成本也低，可降低半导体封装100的整体成本。另一实施例中，板材121可以是铁板或合金板。 

另一实施例中，只要强化板120的强度足够即可，强化板120不限于是金属强化板，其亦可为非金属强化板，例如是高分子聚合物制成的强化板。