[发明专利]半导体存储装置及其测试电路

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器单元；

开关单元，所述开关单元被配置成经由数据输入缓冲器而与数据输入和输出焊盘耦接，且响应于测试模式信号来控制施加至所述数据输入缓冲器的数据的数据传输路径；

写入驱动器，所述写入驱动器被配置成在正常模式下驱动从所述开关单元传送的数据，并将所述数据写入所述存储器单元阵列中；以及

控制器，所述控制器被配置成在测试模式下将来自所述开关单元的数据直接传送至所述存储器单元，

其中，所述存储器单元阵列和所述控制器被配置成通过第一局部输入和输出线而直接耦接，所述第一局部输入和输出线经由第一开关连接至所述存储器单元的位线。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述控制器包括双向存取控制单元，所述双向存取控制单元被配置成响应于所述测试模式信号而经由所述第一局部输入和输出线将从所述数据输入缓冲器传送的数据提供给所述存储器单元阵列。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述双向存取控制单元被配置成响应于所述测试模式信号而经由第二局部输入和输出线将从所述数据输入缓冲器传送的数据提供给所述存储器单元阵列。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述开关单元与处在所述数据输入缓冲器与所述写入驱动器之间、或处在所述数据输入缓冲器与所述控制器之间的全局输入和输出线耦接。

5.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述双向存取控制单元与处在所述开关单元与所述存储器单元阵列之间的所述第一局部输入和输出线以及所述第二局部输入和输出线耦接。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储器单元利用电流驱动方案来执行数据的读取/写入。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储器单元是阻变存储器单元。

8.一种半导体存储装置，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器单元，所述多个存储器单元耦接在位线与源极线之间且由施加至字线的电位驱动；以及

双向存取控制单元，所述双向存取控制单元被配置成响应于测试模式信号而直接将经由数据输入和输出焊盘而设置在数据输入缓冲器中的数据从所述存储器单元的所述位线传送至所述源极线，或直接将施加至所述数据输入缓冲器的数据从所述存储器单元的所述源极线传送至所述位线，

其中，所述存储器单元阵列和所述双向存取控制单元被配置成通过第一局部输入和输出线而直接耦接，所述第一局部输入和输出线经由第一开关连接至所述存储器单元的所述位线。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置，还包括写入驱动器，所述写入驱动器被配置成在正常模式下通过接收施加至所述数据输入缓冲器的数据而被驱动，并将所述数据写入所述存储器单元阵列中。

10.如权利要求9所述的半导体存储装置，还包括开关单元，所述开关单元被配置成与所述数据输入缓冲器耦接，并控制施加至所述数据输入缓冲器的数据的传输路径，使得响应于所述测试模式信号而将所述数据传送至所述双向存取控制单元或所述写入驱动器。

11.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述存储器单元利用电流驱动方案来执行数据的读取/写入。

12.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述存储器单元是阻变存储器单元。

13.一种半导体存储装置的测试电路，包括：

开关单元，所述开关单元被配置成控制经由数据输入和输出焊盘而被施加至数据输入缓冲器的数据的传输路径；以及

双向存取控制单元，所述双向存取控制单元被配置成响应于测试模式信号而接收施加至所述数据输入缓冲器的数据并直接将所述数据传送至存储器单元阵列，

其中，所述存储器单元阵列和所述双向存取控制单元被配置成通过第一局部输入和输出线或第二局部输入和输出线而直接耦接，

以及所述第一局部输入和输出线被配置成经由第一开关连接至所述存储器单元阵列的位线，且所述第二局部输入和输出线被配置成经由第二开关连接至所述存储器单元阵列的源极线。