[发明专利]手机及充电保护电路有效

专利信息
申请号: 201210073866.6 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN102624051A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 伍延椿;林子华 申请(专利权)人: 惠州TCL移动通信有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦;丁建春
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 手机 充电 保护 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及移动通讯终端领域,特别是涉及一种手机及充电保护电路。

背景技术

在现有的手机中,引入电压的位置有两个:一个是电池,一个是充电接口。正常手机充电时,都需要将电池先行放入,随后才是充电接口。但是在用户使用过程中,往往会出现先插充电器后放电池的情形。根据设计经验,手机插入充电器后处于不断重启或等待的状态,但并不会有显示。主要因为此时与电池正极连接的VBATT端口上已经开始产生4.2V电池电压,只是由于与电池检测接口连接的电压未侦测到,手机保持黑屏不开机状态。

此时,如果用户放入的电池的电压过低,或者电池连接器存在某些短路情形,则放入电池时很容易产生瞬时的大电流。而一旦场效晶体管关断不及时,将直接使得充电芯片瞬间产生过流,导致损坏或者寿命减短。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种手机及充电保护电路,能够防止手机先插入充电器后放入电池时产生瞬时的大电流,降低充电芯片的损坏几率,并且延长充电芯片的寿命。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种充电保护电路,包括:第一端口,在电池接入时与电池的BATT_ID接口连接以产生第一控制电压,在电池未接入时第一端口悬空;第二端口,与充电器的充电接口选择性连接,且在与充电接口连接时,从充电器获取第一充电电压;充电芯片,包括输入端;受控开关,包括第一端、第二端以及控制端,第一端与第二端口连接,第二端与输入端连接,控制端与第一端口连接,控制端在从第一端口获取到第一控制电压时,第一端与第二端连接,控制端悬空时,第一端与第二端断开连接。

其中,充电保护电路进一步包括充电端口,充电端口在电池接入时与电池的VBATT接口和GND接口连接,充电芯片进一步包括输出端,输出端与充电端口连接,充电芯片用于将从输入端获取的第一充电电压转换为适合于对电池进行充电的第二充电电压,并利用输出端输出第二充电电压至电池。

其中,第一端口与第二端口之间设置有第三电阻,在第一端口与BATT_ID接口连接且第二端口在与充电接口连接时,第一端口通过电池中设置的与BATT_ID接口连接的第一电阻接地,第一电阻和第三电阻的电阻值设置为使得在第一端口与BATT_ID接口连接时在第一端口产生第一控制电压。

其中,受控开关进一步包括开关三极管、NMOS管、第二电阻以及第一电容,其中开关三极管的基极为控制端,NMOS管的源极为第一端,NMOS管的漏极为第二端,开关三极管的发射极与NMOS管的源极之间设置有第二电阻,开关三极管的集电极接地,第一电容设置在NMOS管的漏极与开关三极管的集电极之间。

其中,第二电阻的电阻值范围在10000至100000欧姆之间。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种手机,包括充电保护电路,充电保护电路包括:第一端口,在电池接入时与电池的BATT_ID接口连接以产生第一控制电压,在电池未接入时第一端口悬空;第二端口,与充电器的充电接口选择性连接,且在与充电接口连接时,从充电器获取第一充电电压;充电芯片,包括输入端;受控开关,包括第一端、第二端以及控制端,第一端与第二端口连接,第二端与输入端连接,控制端与第一端口连接,控制端在从第一端口获取到第一控制电压时,第一端与第二端连接,控制端悬空时,第一端与第二端断开连接。

其中,充电保护电路进一步包括充电端口,充电端口在电池接入时与电池的VBATT接口和GND接口连接,充电芯片进一步包括输出端,输出端与充电端口连接,充电芯片用于将从输入端获取的第一充电电压转换为适合于对电池进行充电的第二充电电压,并利用输出端输出第二充电电压至电池。

其中,第一端口与第二端口之间设置有第三电阻,在第一端口与BATT_ID接口连接且第二端口在与充电接口连接时,第一端口通过电池中设置的与BATT_ID接口连接的第一电阻接地,第一电阻和第三电阻的电阻值设置为使得在第一端口与BATT_ID接口连接时在第一端口产生第一控制电压。

其中,受控开关进一步包括开关三极管、NMOS管、第二电阻以及第一电容,其中开关三极管的基极为控制端,NMOS管的源极为第一端,NMOS管的漏极为第二端,开关三极管的发射极与NMOS管的源极之间设置有第二电阻,开关三极管的集电极接地,第一电容设置在NMOS管的漏极与开关三极管的集电极之间。

其中,第二电阻的电阻值范围在10000至100000欧姆之间。

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