[发明专利]手机及充电保护电路

权利要求书

1.一种充电保护电路，其特征在于，包括：

第一端口，在电池接入时与电池的BATT_ID接口连接以产生第一控制电压，在电池未接入时所述第一端口悬空；

第二端口，与充电器的充电接口选择性连接，且在与所述充电接口连接时，从所述充电器获取第一充电电压；

充电芯片，包括输入端；

受控开关，包括第一端、第二端以及控制端，所述第一端与所述第二端口连接，所述第二端与所述输入端连接，所述控制端与所述第一端口连接，所述控制端在从所述第一端口获取到所述第一控制电压时，所述第一端与所述第二端连接，所述控制端悬空时，所述第一端与所述第二端断开连接。

2.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，所述充电保护电路进一步包括充电端口，所述充电端口在所述电池接入时与所述电池的VBATT接口和GND接口连接，所述充电芯片进一步包括输出端，所述输出端与所述充电端口连接，所述充电芯片用于将从所述输入端获取的第一充电电压转换为适合于对所述电池进行充电的第二充电电压，并利用所述输出端输出所述第二充电电压至所述电池。

3.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，所述第一端口与所述第二端口之间设置有第三电阻，在所述第一端口与BATT_ID接口连接且所述第二端口在与所述充电接口连接时，所述第一端口通过电池中设置的与BATT_ID接口连接的第一电阻接地，所述第一电阻和所述第三电阻的电阻值设置为使得在所述第一端口与所述BATT_ID接口连接时在所述第一端口产生所述第一控制电压。

4.根据权利要求3所述的充电保护电路，其特征在于，所述受控开关进一步包括开关三极管、NMOS管、第二电阻以及第一电容，其中：

所述开关三极管的基极为所述控制端，所述NMOS管的源极为所述第一端，所述NMOS管的漏极为所述第二端，所述开关三极管的发射极与所述NMOS管的源极之间设置有所述第二电阻，所述开关三极管的集电极接地，所述第一电容设置在所述NMOS管的漏极与所述开关三极管的集电极之间。

5.根据权利要求4所述的充电保护电路，其特征在于，所述第二电阻的电阻值范围在10000至100000欧姆之间。

6.一种手机，其特征在于，包括充电保护电路，所述充电保护电路包括：

第一端口，在电池接入时与电池的BATT_ID接口连接以产生第一控制电压，在电池未接入时所述第一端口悬空；

第二端口，与充电器的充电接口选择性连接，且在与所述充电接口连接时，从所述充电器获取第一充电电压；

充电芯片，包括输入端；

受控开关，包括第一端、第二端以及控制端，所述第一端与所述第二端口连接，所述第二端与所述输入端连接，所述控制端与所述第一端口连接，所述控制端在从所述第一端口获取到所述第一控制电压时，所述第一端与所述第二端连接，所述控制端悬空时，所述第一端与所述第二端断开连接。

7.根据权利要求6所述的手机，其特征在于，所述充电保护电路进一步包括充电端口，所述充电端口在所述电池接入时与所述电池的VBATT接口和GND接口连接，所述充电芯片进一步包括输出端，所述输出端与所述充电端口连接，所述充电芯片用于将从所述输入端获取的第一充电电压转换为适合于对所述第二电池进行充电的第二充电电压，并利用所述输出端输出所述第二充电电压至所述电池。

8.根据权利要求6所述的手机，其特征在于，所述第一端口与所述第二端口之间设置有第三电阻，在所述第一端口与BATT_ID接口连接且所述第二端口在与所述充电接口连接时，所述第一端口通过电池中设置的与BATT_ID接口连接的第一电阻接地，所述第一电阻和所述第三电阻的电阻值设置为使得在所述第一端口与所述BATT_ID接口连接时在所述第一端口产生所述第一控制电压。

9.根据权利要求8所述的手机，其特征在于，所述受控开关进一步包括开关三极管、NMOS管、第二电阻以及第一电容，其中：

所述开关三极管的基极为所述控制端，所述NMOS管的源极为所述第一端，所述NMOS管的漏极为所述第二端，所述开关三极管的发射极与所述NMOS管的源极之间设置有所述第二电阻，所述开关三极管的集电极接地，所述第一电容设置在所述NMOS管的漏极与所述开关三极管的集电极之间。

10.根据权利要求9所述的手机，其特征在于，所述第二电阻的电阻值范围在10000至100000欧姆之间。