[发明专利]主动阵列基板上的静电防护结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种静电防护结构，且特别是有关于一种位于一主动阵列基板上的静电防护结构。

背景技术

液晶显示器已广泛地应用在各种电子装置中。在已知技术中，液晶显示器通常以非晶硅薄膜晶体管作为主动元件。液晶显示器中的主动阵列基板通常设置有静电防护结构，以避免主动阵列基板内的元件或电路被静电浪涌损坏。静电防护结构通常是在制造主动阵列基板的过程中同时被制造。因此，非晶硅薄膜晶体管液晶显示器中的静电防护结构也是使用非晶硅半导体材料。但是，非晶硅半导体载子迁移率较差。因此，有许多研究尝试以金属氧化物半导体取代非晶硅半导体。不过，金属氧化物半导体材料的性质较不稳定，容易受到电压应力的影响而使其电性表现发生变化，而造成金属氧化物薄膜晶体管的临界电压飘移。这样的问题也出现在以金属氧化物为半导体材料的静电防护结构中，并造成静电防护结构电性表现不稳定。有鉴于此，目前亟需一种适用于金属氧化物半导体的静电防护结构，期能具有稳定的电性表现。

发明内容

本发明是提供一种静电防护结构，其位于一主动阵列基板上，以能具有稳定的电性性能。此静电防护结构包含一信号线、一第一薄膜晶体管以及一分流导线。第一薄膜晶体管包含一第一栅极、一第一金属氧化物半导体层、第一源极以及一第一漏极。第一栅极电性连接信号线。第一金属氧化物半导体层位于第一栅极上方，且第一金属氧化物半导体层具有一通道区，此通道区的一宽长比小于1。第一源极等电位连接第一栅极。第一漏极经由第一金属氧化物半导体层连接第一源极，且第一源极和第一漏极分别位于通道区的相对两侧。分流导线电性连接第一漏极。当信号线的一电压浪涌大于一定值时，电压浪涌(voltage surge)经由第一薄膜晶体管分流至分流导线。

根据本发明一实施方式，上述静电防护结构还包含一第二薄膜晶体管，且第一漏极经第二薄膜晶体管电性连接分流导线。第二薄膜晶体管包含一第二栅极、一第二金属氧化物半导体层、一第二源极以及一第二漏极。第二栅极等电位连接第一栅极。第二金属氧化物半导体层位于第二栅极上方，且第二金属氧化物半导体层的一宽长比小于1。第二源极等电位连接第一漏极。第二漏极等电位连接分流导线。

根据本发明一实施方式，上述静电防护结构还包含一第三薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包含一第三栅极、一第三金属氧化物半导体层、一第三源极以及一第三漏极。第三栅极等电位连接分流导线。第三金属氧化物半导体层位于第三栅极上方，且第三金属氧化物半导体层的一宽长比小于1。第三源极等电位连接第二漏极。第三漏极经由第三金属氧化物半导体层连接第三源极，且电性连接信号线。

根据本发明一实施方式，上述静电防护结构还包含一第四薄膜晶体管，且第三漏极经第四薄膜晶体管电性连接信号线。第四薄膜晶体管包含：一第四栅极、一第四金属氧化物半导体层、一第四源极以及一第四漏极。第四栅极等电位连接第三栅极。第四金属氧化物半导体层位于第四栅极上方，且第四金属氧化物半导体层的一宽长比小于1。第四源极等电位连接第三漏极。第四漏极经由第四金属氧化物半导体层连接第三源极，且等电位连接信号线。

根据本发明一实施方式，上述静电防护结构还包含一第五薄膜晶体管，其包含一第五栅极、一第五金属氧化物半导体层、一第五源极以及一第五漏极。第五栅极等电位连接信号线。第五金属氧化物半导体层位于第五栅极上方，且第五金属氧化物半导体层的一宽长比小于1。第五源极等电位连接第五栅极。第五漏极经由第五金属氧化物半导体层连接第五源极，并电性连接分流导线。

根据本发明一实施方式，上述静电防护结构还包含一第六薄膜晶体管，且第五漏极经第六薄膜晶体管电性连接分流导线。第六薄膜晶体管包含一第六栅极、一第六金属氧化物半导体层、一第六源极以及一第六漏极。第六栅极等电位连接第五栅极。第六金属氧化物半导体层位于第六栅极上方，且第六金属氧化物半导体层的一宽长比小于1。第六源极等电位连接第五漏极。第六漏极经由第六金属氧化物半导体层连接第六源极，且电性连接分流导线。

根据本发明一实施方式，上述静电防护结构还包含一第七薄膜晶体管。第七薄膜晶体管包含一第七栅极、一第七金属氧化物半导体层、一第七源极以及一第七漏极。第七栅极等电位连接分流导线。第七金属氧化物半导体层位于第七栅极上方，且第七金属氧化物半导体层的一宽长比小于1。第七源极等电位连接第六漏极。第七漏极经由第七金属氧化物半导体层连接第七源极，且电性连接信号线。