[发明专利]主动阵列基板上的静电防护结构

权利要求书

1.一种静电防护结构，位于一主动阵列基板上，其特征在于，该静电防护结构包含：

一信号线；

一第一薄膜晶体管，包含：

一第一栅极，电性连接该信号线；

一第一金属氧化物半导体层，位于该第一栅极上方，该第一金属氧化物半导体层具有一通道区，且该第一金属氧化物半导体层的通道区的一宽长比小于1；

一第一源极，等电位连接该第一栅极；以及

一第一漏极，经由该第一金属氧化物半导体层连接该第一源极，其中该第一源极和第一漏极分别位于该通道区的相对两侧；以及

一分流导线，电性连接该第一漏极；

其中当该信号线的一电压浪涌大于一定值时，该电压浪涌经由该第一薄膜晶体管分流至该分流导线。

2.根据权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，还包含一第二薄膜晶体管，且该第一漏极经该第二薄膜晶体管电性连接该分流导线，其中该第二薄膜晶体管包含：

一第二栅极，等电位连接该第一栅极；

一第二金属氧化物半导体层，位于该第二栅极上方，且该第二金属氧化物半导体层具有一通道区，该第二金属氧化物半导体层的通道区的一宽长比小于1；

一第二源极，等电位连接该第一漏极；以及

一第二漏极，等电位连接该分流导线。

3.根据权利要求2所述的静电防护结构，其特征在于，还包含一第三薄膜晶体管，该第三薄膜晶体管包含：

一第三栅极，等电位连接该分流导线；

一第三金属氧化物半导体层，位于该第三栅极上方，且该第三金属氧化物半导体层具有一通道区，该第三金属氧化物半导体层的通道区的一宽长比小于1；

一第三源极，等电位连接该第二漏极；以及

一第三漏极，经由该第三金属氧化物半导体层连接该第三源极，且电性连接该信号线。

4.根据权利要求3所述的静电防护结构，其特征在于，还包含一第四薄膜晶体管，且该第三漏极经该第四薄膜晶体管电性连接该信号线，其中该第四薄膜晶体管包含：

一第四栅极，等电位连接该第三栅极；

一第四金属氧化物半导体层，位于该第四栅极上方，且该第四金属氧化物半导体层具有一通道区，该第四金属氧化物半导体层的通道区的一宽长比小于1；

一第四源极，等电位连接该第三漏极；以及

一第四漏极，经由该第四金属氧化物半导体层连接该第三源极，且等电位连接该信号线。

5.根据权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，还包含一第五薄膜晶体管，其包含：

一第五栅极，等电位连接该信号线；

一第五金属氧化物半导体层，位于该第五栅极上方，且该第五金属氧化物半导体层具有一通道区，该第五金属氧化物半导体层的通道区的一宽长比小于1；

一第五源极，等电位连接该第五栅极；以及

一第五漏极，经由该第五金属氧化物半导体层连接该第五源极，并电性连接该分流导线。

6.根据权利要求5所述的静电防护结构，其特征在于，还包含一第六薄膜晶体管，且该第五漏极经该第六薄膜晶体管电性连接该分流导线，其中该第六薄膜晶体管包含：

一第六栅极，等电位连接该第五栅极；

一第六金属氧化物半导体层，位于该第六栅极上方，且该第六金属氧化物半导体层具有一通道区，该第六金属氧化物半导体层的通道区的一宽长比小于1；

一第六源极，等电位连接该第五漏极；以及

一第六漏极，经由该第六金属氧化物半导体层连接该第六源极，且电性连接该分流导线。

7.根据权利要求6所述的静电防护结构，其特征在于，还包含一第七薄膜晶体管，该第七薄膜晶体管包含：

一第七栅极，等电位连接该分流导线；

一第七金属氧化物半导体层，位于该第七栅极上方，且该第七金属氧化物半导体层具有一通道区，该第七金属氧化物半导体层的通道区的一宽长比小于1；

一第七源极，等电位连接该第六漏极；以及

一第七漏极，经由该第七金属氧化物半导体层连接该第七源极，且电性连接该信号线。