[发明专利]薄膜电阻结构

权利要求书

1.一种薄膜电阻结构，包含有:

基底；

平坦的底层间介电层，覆盖于该基底之上；

多个第一接触，位于该底层间介电层之中，且各该第一接触的一顶面切齐该底层间介电层的一顶面；

第二停止层，位于该底层间介电层之上且与该底层间介电层直接接触；

平坦的顶层间介电层，位于该第二停止层之上；

多个第二接触，位于该顶层间介电层之中，且各该第二接触的一顶面切齐该顶层间介电层的一顶面；以及

薄膜电阻，位于该第二停止层与该顶层间介电层之间，其中至少一该第二接触穿透该薄膜电阻及该第二停止层，且切齐于该第二停止层的底面。

2.如权利要求1所述的薄膜电阻结构，其中还包含保护层，位于该薄膜电阻之上，该保护层的面积与该薄膜电阻的面积相等且该保护层的各侧壁切齐该薄膜电阻的各侧壁。

3.如权利要求1所述的薄膜电阻结构，其中该基底还包含半导体元件区与电阻区，且该薄膜电阻位于该电阻区内。

4.如权利要求3所述的薄膜电阻结构，其中该基底中还包含至少一浅沟隔离(STI)位于该电阻区内。

5.如权利要求3所述的薄膜电阻结构，其中该半导体元件区另包含有至少一金属栅极结构与至少一该第一接触。

6.如权利要求5所述的薄膜电阻结构，其中该金属栅极结构的一顶面切齐该底层间介电层的该顶面。

7.如权利要求1所述的薄膜电阻结构，另包含有至少一金属层间介电层设置于该顶层间介电层之上，且该金属层间介电层中包含有至少一金属线路与至少一介层插塞(via plug)。

8.如权利要求1所述的薄膜电阻结构，其中该第一接触包含条状接触(slot contact)。

9.一种薄膜电阻结构，包含有:

基底；

平坦的底层间介电层，覆盖于该基底之上；

多个第一接触，位于该底层间介电层之中，且各该第一接触的一顶面切齐该底层间介电层的一顶面；

第二停止层，位于该底层间介电层之上且与该底层间介电层直接接触；

平坦的顶层间介电层，位于该第二停止层之上；

多个第二接触，位于该顶层间介电层之中，且各该第二接触的一顶面切齐该顶层间介电层的一顶面；

薄膜电阻，位于该第二停止层与该顶层间介电层之间，其中至少一该第二接触穿过该薄膜电阻及该第二停止层而电连接该第一接触；以及

至少一支撑结构，位于该薄膜电阻下方的该底层间介电层中。

10.如权利要求9所述的薄膜电阻结构，其中该基底还包含半导体元件区与电阻区，且该薄膜电阻位于该电阻区内。

11.如权利要求10所述的薄膜电阻结构，其中该基底中还包含至少一浅沟隔离(STI)位于该电阻区内，且该支撑结构设置于该浅沟隔离上。

12.如权利要求9所述的薄膜电阻结构，其中该支撑结构包含金属栅极结构或该第一接触。

13.如权利要求9所述的薄膜电阻结构，其中该支撑结构沿一第一方向延伸，该薄膜电阻沿一第二方向延伸，且该第一方向与该第二方向不同。

14.如权利要求13所述的薄膜电阻结构，其中该第一方向与该第二方向互相垂直。