[发明专利]有机硅树脂组合物和由该组合物制备的光学半导体器件有效

专利信息
申请号: 201210072568.5 申请日: 2012-01-17
公开(公告)号: CN102627859A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 浜本佳英;柏木努 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C08L83/07 分类号: C08L83/07;C08L83/05;C08K5/5419;H01L33/56
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李帆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 硅树脂 组合 制备 光学 半导体器件
【说明书】:

优选权声明

非临时的本申请根据巴黎公约要求享有2011年1月17日申请的日本专利申请No.2011-007347的优选权,其公开内容在此全部引入供参考。

发明领域

本发明涉及用作光学半导体器件密封剂的有机硅树脂组合物,以及涉及使用这样的细合物制备的光学半导体器件。

背景技术

近年来,具有较强的光强度和热耗散的高亮度LED已经商业化,并且它们已被广泛使用于一般的照明应用。然而,这附带出由腐蚀性气体导致的密封剂变色问题。为了解决这个问题,日本专利申请公开No.2005-272697(专利公开1),例如,报道了耐热性、耐光性和耐候性优异的密封剂,其通过将受阻胺光稳定剂加入苯基有机硅树脂而得到。另外,日本专利申请公开No.2009-215434(专利公开2)提出了能阳碍有机树脂封装体降解和延长LED寿命的有机硅树脂组合物,并且该有机硅树脂组合物包含有在一分子中具有两个或者更多个脂肪族不饱和键并且不具有任何芳香族烃基团但具有脂肪族烃基团作为取代基团的有机硅树脂(例如甲基有机硅树脂)。

然而,上述这些有机硅树脂组合物耐光性、耐热变色性和抗冲击性优异的同时,也表现出大的线性热膨胀系数和高气体渗透性,以致于已知:腐蚀性气体将攻击并使在光学半导体器件如LED中使用的基材上镀的银表面黑化,结果,将削弱LED的亮度;因此需要进一步的改进。

另外,日本专利申请公开No.2000-17176(专利公开3)报道了包含具有环烷基基团的有机聚硅氧烷的用于光学目的的有机硅组合物;然而,这并不能避免SiO2单元,为此产生了耐裂性的问题。

现有技术

专利公开

专利公开1日本专利申请公开No.2005-272697

专利公开2日本专利申请公开No.2009-215434

专利公开3日本专利申请公开No.2000-17176

发明内容

本发明所要解决的问题

本发明的目的是提供用于光学半导体密封的具有低气体渗透性的有机硅树脂组合物,另一个目的是提供高度可靠的光学半导体器件。

解决问题的方法

本发明人为实现本发明的目的进行了各种的考察,结果,他们发现作为乙烯基的唯一来源,包含有由包含环烷基基团如环己基的三官能团T单元构成的乙烯基有机硅树脂的有机硅树脂组合物表现出低的气体渗透性,并且得到的固化物难以变色。另外,还发现,通过用这样的有机硅树脂组合物的固化物来密封光学半导体器件(高亮度LED等),可以赋予光学半导体器件优异的耐变色性和反射效率。基于这些发现,本发明人做出了积极的努力并完成了本发明。

特别地,本发明涉及特征在于包含下述(A)-(D)组分的有机硅树脂组合物:

(A)如下述分子式(1)中所示的有机聚硅氧烷,其中一分子中包含至少两个的烯基基团

[式1]

(R1SiO3/2)x(R23SiO1/2)y(R22SiO2/2)z    (1)

(其中R1是环烷基基团,R2是任意一种或者多种的具有1-10个碳原子的取代或未取代的单价烃基团,x是0.5-0.9,y是0.1-0.5,z是0-0.2,并且x+y+z=1.0)

(B)一分子中包含至少两个SiH基团的氢有机聚硅氧烷,

(C)加成反应催化剂,

(D)粘合促进剂。

发明效果

根据本发明,作为组分(A)的有机聚硅氧烷,具有主要由包含有环烷基基团如环己基的T单元(三官能团单元)构成的主链,使得它能提供具有低气体渗透性和高抗硫化特性(抗气体腐蚀特性)的有机硅树脂组合物。另外,该有机硅树脂组合物的固化物具有如此低的气体渗透性,以至于用该固化的树脂密封的光学半导体器件的耐变色性和反射率的持久性优异;因此,本发明的有机硅树脂细合物具有作为LED的要求具有高耐热性和高耐光性的密封剂非常有用的性质。

具体实施方式

以下将详细说明本发明。

本发明的有机硅树脂组合物特征在于包含有前述的组分(A)至(D)。

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