[发明专利]太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201210068605.5 申请日: 2012-03-14
公开(公告)号: CN102610669A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 赖良星;胡雁程;陈人杰;吴振诚 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种具有埋入电极的太阳能电池。

背景技术

太阳能似乎是一种用之不竭的能源,因此太阳能的相关研究引起许多注意。太阳能电池便是为了将太阳能直接转换成电能而开发的装置。目前,太阳能电池通常由单晶硅及多晶硅制成,且占据大于90%的太阳能电池市场。虽然利用太阳能电池发电具有诸多优点,但因其光电转换效率不够高,而造成太阳能电池未能普遍地使用。有鉴于此,研究人员致力于提高太阳能电池的光电转换效率。

发明内容

为了克服现有技术的缺陷,本发明提供一种太阳能电池,能提高太阳能电池的光电转换效率。此太阳能电池包含一第一电极、至少一埋入电极、一光电转换层以及一第二电极。光电转换层位于第一电极以及第二电极之间,且配置在第一电极和埋入电极上。埋入电极设于第一电极上,且埋入电极嵌设于光电转换层。

依据本发明一实施方式,第二电极的一面积小于第一电极的一面积,且埋入电极与第二电极不重叠。

依据本发明一实施方式,光电转换层包含一射极层以及一半导体层。射极层位于第一电极上。半导体层位于射极层上,其中射极层与半导体层形成一PN结。

依据本发明一实施方式,半导体层为n型硅层。

依据本发明一实施方式,射极层包含一重掺杂部分,且重掺杂部分围绕埋入电极。

依据本发明一实施方式,光电转换层还包含一表面电场层,位于半导体层上,且接触第二电极。

依据本发明一实施方式,第二电极不接触埋入电极。

依据本发明一实施方式,上述太阳能电池还包含一截光层位于光电转换层上,且截光层具有一凹凸表面。

依据本发明一实施方式,埋入电极的一厚度为约30μm至约130μm。

依据本发明一实施方式,埋入电极的一宽度为约5μm至约30μm。

本发明可提高整体太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,附图的说明如下:

图1绘示本发明一实施方式的太阳能电池的立体示意图。

其中,附图标记说明如下:

100太阳能电池              136表面电场层

110第一电极                140第二电极

120埋入电极                150截光层

130光电转换层              L入射光

132射极层                  T埋入电极厚度

134半导体层                H光电转换层厚度

132a重掺杂部分             W埋入电极宽度

具体实施方式

为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备,下文针对了本发明的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述;但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭示的各实施例,在有益的情形下可相互组合或取代,也可在一实施例中附加其他的实施例,而无须进一步的记载或说明。

在以下描述中,将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而,可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下,为简化附图,公知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。

图1绘示本发明一实施方式的太阳能电池100的立体示意图。太阳能电池100包含第一电极110、至少一埋入电极120、光电转换层130以及第二电极140。入射光L由第二电极140的一侧传递进入光电转换层130,光电转换层130再将入射的光线转变为电能。

第一电极110以及第二电极140分别配置于光电转换层130的相对两侧,用以将太阳能电池100所产生的电能传递至一外部负载装置(未绘示)。第一电极110位于太阳能电池100的入光面的相对侧。在一实施方式中,第一电极110为整面性地形成在光电转换层130的下方。第一电极110可包含例如铝、银、铜、镍等金属材料,可通过各种物理气象沉积技术来形成第一电极110。

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