[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201210068605.5 | 申请日: | 2012-03-14 |
公开(公告)号: | CN102610669A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 赖良星;胡雁程;陈人杰;吴振诚 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,包含:
一第一电极;
至少一埋入电极,设于该第一电极上;
一光电转换层,该光电转换层位于该第一电极和该埋入电极上,且该埋入电极嵌设于该光电转换层;以及
一第二电极,其中该光电转换层位于该第一电极以及该第二电极之间。
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其中该第二电极的一面积小于该第一电极的一面积,且该埋入电极与该第二电极不重叠。
3.如权利要求1所述的太阳能电池,其中该光电转换层包含:
一射极层,位于该第一电极上;以及
一半导体层,位于该射极层上,其中该射极层与该半导体层形成一PN结。
4.如权利要求3所述的太阳能电池,其中该半导体层为n型硅层。
5.如权利要求3所述的太阳能电池,其中该射极层包含一重掺杂部分,且该重掺杂部分围绕该埋入电极。
6.如权利要求3所述的太阳能电池,其中该光电转换层还包含一表面电场层,位于该半导体层上,且接触该第二电极。
7.如权利要求1所述的太阳能电池,其中该第二电极不接触该埋入电极。
8.如权利要求1所述的太阳能电池,还包含一截光层位于该光电转换层上,且该截光层具有一凹凸表面。
9.如权利要求1所述的太阳能电池,其中该埋入电极的一厚度为约30μm至约130μm。
10.如权利要求1所述的太阳能电池,其中埋入电极的一宽度为约5μm至约30μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的