[发明专利]掩膜板及其制备方法有效
申请号: | 201210068040.0 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN102591134A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 邱勇;彭兆基 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 黄晓明 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 及其 制备 方法 | ||
1.一种掩膜板,包括母板,其特征在于:所述母板于一面设有通过电铸方式形成的若干呈阵列状排布的凹槽、及围绕凹槽的电铸层,所述母板还设有通过刻蚀方式形成的贯穿母板的若干狭槽,所述狭槽与所述凹槽部分或全部相通。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述凹槽在母板长度方向上排列成若干竖向排,所述凹槽在母板宽度方向上排成若干横向排,每一竖向排中相邻的两凹槽之间的间距小于10um。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述狭槽沿母板宽度方向延伸,每一狭槽对应一竖向排并与该竖向排中的所有凹槽相通。
4.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述电铸层的材料为铬或白金或金,或是含铬、白金、金其中一种元素的合金。
5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述母板设有上表面,所述上表面除凹槽占据区域外,其它区域都覆盖有所述电铸层。
6.根据权利要求 1所述的掩膜板,其特征在于,所述电铸层分为若干不连续的电铸部分,每一电铸部分环绕所述凹槽。
7.根据权利要求 1至6中任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述凹槽在母板宽度方向上的开口宽度大于在母板长度方向上的开口宽度。
8.根据权利要求7所述的掩膜板,其特征在于,所述电铸层的厚度为3-10um。
9.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10,提供一母板,在母板一面上制作通过电铸方式形成的呈阵列状分布的若干凹槽、及围绕凹槽的电铸层;
S20,对母板的另一面进行刻蚀以形成贯穿母板的狭槽,所述狭槽与所述凹槽部分或全部相通。
10.根据权利要求9所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,S10具体包括以下步骤:
在母板两面涂敷光刻胶;
对其中一面的光刻胶进行曝光和显影,形成若干胶条及待电铸区域;
将母板放置到电镀槽中进行电铸,在待电铸区域形成所述电铸层;
除去胶条,形成所述凹槽。
11.根据权利要求9所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,S20具体包括以下步骤:
在母板两面涂敷光刻胶,一面的光刻胶用以保护所制作的凹槽,另一面光刻胶用于刻蚀需要;
对另一面的光刻胶进行曝光、显影,露出刻蚀所需位置的母板;
对露出的母板进行刻蚀,形成所述与凹槽相通的狭槽。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,所述刻蚀过程中使用的是氯化铁溶液。
13.根据权利要求9所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,所述凹槽在母板长度方向上排列成若干竖向排,所述凹槽在母板宽度方向上排成若干横向排,每一竖向排中相邻的两凹槽之间的间距小于10um。
14.根据权利要求9所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,所述电铸层的材料为铬或白金或金,或是含铬、白金、金其中一种元素的合金。
15.根据权利要求9所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,所述母板为厚度10-100um的铁镍合金平板。
16.根据权利要求9所述的掩膜板的制备方法,其特征在于,所述电铸层的厚度为3-10um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司,未经昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210068040.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电池电量均衡装置
- 下一篇:手工多层实木地板生产操作台设备
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备