[发明专利]阵列基板及相应的显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种制作成本低的液晶基板及相应的显示面板。

背景技术

随着科技进步，各种电子产品已成为人们生活不可或缺的一部分。其中显示器为多媒体电子产品的重要组件。而薄膜晶体管液晶显示器(thin filmtransistor liquid crystal display，TFT LCD)具有省电、无辐射、体积小、低耗电量、不占空间、平面直角、高解析度以及画质稳定等优点，已逐渐取代传统的阴极射线管显示器(cathode ray tube display，CRT display)，广泛用于手机、屏幕、数字电视以及笔记型计算机等电子产品的显示面板上。

随着薄膜晶体管液晶显示器相关技术的迅速发展，改善其显示画质、降低其制作成本成为此领域共同的目标。其中显示面板一般包括CF(color filter：彩色滤光)基板、TFT阵列基板以及设置在CF基板和TF T阵列基板之间的液晶层。一般在CF基板侧和TFT阵列基板侧会设置有透明电极层，该透明电极层的材料一般为ITO(Indium Tin Oxides：氧化铟锡)。但是ITO中铟的价格昂贵、质地较脆而缺乏柔韧性，并且使用湿法刻蚀制作ITO透明电极层时，需要使用蚀刻液、起保护作用的光阻以及光阻剥离液，制程比较复杂，且需在真空中沉积、退火形成，制作成本较高。

故，有必要提供一种阵列基板及相应的显示面板，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明提供一种制作成本低的阵列基板及相应的显示面板，以解决现有技术的阵列基板及相应的显示面板制作成本高的技术问题。

本发明涉及一种阵列基板，具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，其中所述阵列基板包括：像素阵列，位于所述显示区，包括薄膜晶体管以及像素电极；以及周边线路，位于所述周边电路区，所述周边线路与所述像素阵列电连接；所述像素电极为石墨烯薄膜。

在本发明所述的阵列基板中，所述石墨烯薄膜的厚度范围为5-15纳米。

在本发明所述的阵列基板中，所述薄膜晶体管包括源极层、漏极层以及连接所述源极层和所述漏极层的有源层，所述有源层的厚度范围为50-60纳米。

在本发明所述的阵列基板中，所述有源层的沟道的长度为5-6微米。

在本发明所述的阵列基板中，所述源极层与所述有源层的接触面为长条形，所述漏极层与所述有源层的接触面也为长条形。

在本发明所述的阵列基板中，所述像素电极为矩形。

在本发明所述的阵列基板中，所述矩形的长度范围为30-40微米，所述矩形的宽度范围为15-20微米。

在本发明所述的阵列基板中，所述阵列基板还包括公共电极，所述像素电极和所述公共电极构成所述阵列基板的存储电容。

本发明还涉及一种显示面板，其中包括阵列基板，所述阵列基板具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，所述阵列基板包括：像素阵列，位于所述显示区，包括薄膜晶体管以及像素电极；以及周边线路，位于所述周边电路区，所述周边线路与所述像素阵列电连接；所述像素电极为石墨烯薄膜。

在本发明所述显示面板中，所述石墨烯薄膜的厚度范围为5-15纳米。

实施本发明的阵列基板及相应的显示面板，具有以下有益效果：制作成本低，解决了现有技术的阵列基板及相应的显示面板制作成本高的技术问题。此外，石墨烯薄膜的像素电极具备更良好的导电性能，因此静电导出性能优异，同时更进一步解决了显示面板中需防止静电产生的高标要求。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明的阵列基板的优选实施例的平面结构示意图；

图2为本发明的阵列基板的优选实施例的各功能层的结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。