[发明专利]阵列基板及相应的显示面板无效
| 申请号： | 201210065288.1 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102544000A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王烨文 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 相应 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板，具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，其特征在于：所述阵列基板包括：
像素阵列，位于所述显示区，包括薄膜晶体管以及像素电极；以及
周边线路，位于所述周边电路区，所述周边线路与所述像素阵列电连接；
所述像素电极为石墨烯薄膜。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述石墨烯薄膜的厚度范围为5-15纳米。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源极层、漏极层以及连接所述源极层和所述漏极层的有源层，所述有源层的厚度范围为50-60纳米。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的沟道的长度为5-6微米。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述源极层与所述有源层的接触面为长条形，所述漏极层与所述有源层的接触面也为长条形。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为矩形。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述矩形的长度范围为30-40微米，所述矩形的宽度范围为15-20微米。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，所述像素电极和所述公共电极构成所述阵列基板的存储电容。
9.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，所述阵列基板包括：
像素阵列，位于所述显示区，包括薄膜晶体管以及像素电极；以及
周边线路，位于所述周边电路区，所述周边线路与所述像素阵列电连接；
所述像素电极为石墨烯薄膜。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述石墨烯薄膜的厚度范围为5-15纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
