[发明专利]反及闸型快闪存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的方法包括：

提供一半导体基底，其具有一第一区及邻接该第一区的一第二区及一第三区；

在所述的半导体基底上形成一第一栅极氧化层，其中对应于所述的第一及所述的第二区的所述的第一栅极氧化层具有一第一厚度，而对应于所述的第三区的所述的第一栅极氧化层具有大于所述的第一厚度的一第二厚度；

在所述的第二及所述的第三区的所述的第一栅极氧化层上分别形成一第一栅极层及一第二栅极层，且露出位于所述的第一区的所述的第一栅极氧化层；

对所述的露出的所述的第一栅极氧化层进行氧化处理，以形成具有一第三厚度的一第二栅极氧化层，其中所述的第三厚度不同于所述的第一及所述的第二厚度；

在所述的第二栅极氧化层上依序形成一第三栅极层及一栅极间介电层；以及

在所述的第一栅极层、所述的第二栅极层及所述的栅极间介电层上分别形成一第四栅极层、一第五栅极层及一第六栅极层。

2.如权利要求1所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的方法更包括在所述的第四、所述的第五及所述的第六栅极层上对应形成一金属硅化物层。

3.如权利要求1所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的第一区系所述的反及闸型快闪存储装置的一单元阵列区且所述的第二及所述的第三区系所述的反及闸型快闪存储装置的一周边电路区。

4.如权利要求1所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，形成所述的第一及所述的第二栅极层的步骤更包括：

在所述的第一栅极氧化层上形成一半导体层；

在所述的第二及所述的第三区的所述的半导体层上形成一掩膜图案层，以露出位于所述的第一区的所述的半导体层；以及

去除所述的露出的所述的半导体层。

5.如权利要求4所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，在进行所述的氧化处理之前，更包括在第二区的所述的半导体层的侧壁上形成一掩膜间隙壁。

6.如权利要求5所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的掩膜层及所述的掩膜间隙壁系由氮化硅所构成。

7.如权利要求1所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的第三厚度大于所述的第一厚度且小于所述的第二厚度。

8.如权利要求1所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的第三栅极层包括一未掺杂半导体层及一掺杂的半导体层。

9.如权利要求1所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的栅极间介电层包括一氧化层-氮化层-氧化层结构。

10.如权利要求1所述的反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的第四、所述的第五及所述的第六栅极层由图案化一半导体层所构成。