[发明专利]一种三维书法碑刻或牌匾自动生成方法无效
申请号: | 201210065053.2 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN102663828A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 于金辉;张婷 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G06T19/00 | 分类号: | G06T19/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 书法 碑刻 牌匾 自动 生成 方法 | ||
1.一种三维书法碑刻或牌匾自动生成方法,包括以下步骤:
1)用户交互输入书法碑刻或牌匾的拓片或者照片;
2)输入生成三维书法碑刻或牌匾的模型类型;
3)输入碑刻或牌匾雕刻模式:阴刻、阳刻或阴阳刻;
4)对输入的碑刻或牌匾的拓片或者照片进行轮廓检测,步骤如下:
使用基于局部区域尺度可变的活动轮廓模型对输入的拓片或者照片I进行轮廓检测,将图像分割成K-1个不连续的笔画区域SRi和背景区域BR,其中笔画区域由单个孤立笔画或者有交叉的多个笔画组成,I表示成:
得到分割区域图;
5)对检测结果进行二维欧氏距离变换,生成距离场,作为文字表面初始高度估计;包括如下步骤:
a、对于每个笔画区域SRi,其内部的点P={p∈SRi}设置为非特征点,背景区域BR内的点P′={p′∈SRi}设置为特征点。
b、采用斜切距离变换近似计算每一个非特征点p′到与其最近的特征点p的二维欧氏距离值,得到距离灰度图,即距离场D,将该距离场D作为三维书法碑刻或牌匾中的文字表面的初始高度估计;
6)若执行指令为碑刻时,则:
定义阴刻、阳刻和阴阳刻的调制函数分别为HM1、HM2和HM3,其中HM1=-u×hmax,HM2=u×hmax,HM3=(u-1)×hmax,这里dx,y表示像素(x,y)的距离值,d max为dx,y,((x,y)∈P)集合中的最大值,hmax为文字最大高度,hmax<1;
根据选择的碑刻雕刻模式,使用对应的调制函数HM1、HM2或HM3作用于距离场D的每一点,得到调整后的距离场D′;
7)若执行指令为牌匾时,则:
a、输入截断系数a,0<a<1;
b、定义阴刻、阳刻和阴阳刻的调制函数分别为HM1′、HM2′和HM3′,其中
根据选择的牌匾雕刻模式,使用对应的调制函数HM1′、HM2′或HM3′作用于距离场D的每一点,得到调整后的距离场D′;
8)生成文字表面高度估计GH;步骤如下:
a、对调制后的距离场D′采用高斯滤波进行平滑处理,高斯滤波的核取距离场D′中的最大像素值d′max;
b、将分割区域图中的笔画区域像素值设置为1,背景区域像素值设置为0,得到分割区域图的二值模板,将分割区域图的二值模板和高斯滤波后的图形做乘积运算,运算结果作为文字表面高度估计GH,对于碑刻GH=G(HMi)(i=1、2或3),对于牌匾GH=G(HMi′)(i=1、2或3),这里G表示高斯滤波及乘积复合函数;
9)根据选择的碑刻或牌匾的雕刻模式生成背景区域高度估计BH,将背景区域高度估计BH与文字表面高度估计GH叠加得到刻字表面的高度估计LH;步骤如下:
a、用L表示完整的书法碑刻或牌匾的刻字表面,LH表示L的高度估计,用BL表示背景区域BR对应的表平面,BH表示表平面BL的高度估计,用Hinit表示雕刻前介质表面的初始高度,根据选择的文字雕刻模式生成背景区域表平面高度BH,用n表示雕刻方式,其由如下方程确定:
其中n=1表示阴刻雕刻方式,n=2表示阳刻雕刻方式,n=3表示阴阳刻雕刻方式,
b、将背景区域高度BH与文字表面高度估计GH叠加得到刻字表面的高度估计LH,其由如下方程计算:
LH=BH+GH (n=1或3时,BH>hmax)
10)生成细节高度估计;步骤如下:
a、将输入的书法碑刻或牌匾的拓片或者照片转换成灰度图,得到的灰度图进行反相操作,对灰度图中每个笔画区域SRi计算出该区域的平均灰度srgi,对背景区域BR计算出该区域的平均灰度brg;
b、将碑刻或牌匾灰度图中的每个笔画区域SRi内的像素值分别减去对应的平均灰度srgi,背景区域BR减去灰度brg,得到细节高度估计Hd;
11)将刻字表面高度估计LH和细节高度估计Hd分别进行归一化,按照公式H=(1-b)LH+bHd叠加刻字表面高度估计LH和细节高度估计Hd生成书法碑刻或牌匾的高度估计并输出,式中b为叠加比例,0<b<1。
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