[发明专利]沟槽的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210064070.4 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103311092A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 | ||
1.一种沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有刻蚀停止层和第一介质层；
在第一介质层上形成光刻胶掩模，进行第一刻蚀，在第一介质层中形成具有第一宽度的开口，而后去除残余的光刻胶掩模；
进行第一沉积，在第一介质层上以及开口的侧壁与底壁上形成第二介质层；
对所述第二介质层进行第二刻蚀，去除第一介质层上以及开口底壁上的第二介质层保留具有第一厚度的所述开口侧壁上的第一介质层；
进行第二沉积，形成第三介质层，所述第三介质层至少填满所述开口；
平坦化所述第三介质层至露出所述第二介质层；
进行第三刻蚀，去除所述第二介质层，以在所述第一介质层和所述第三介质层之间形成缝隙；
进行第四刻蚀，刻蚀所述第一介质和所述第三介质，以拓宽所述缝隙而形成沟槽。
2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一沉积的方式为原子层沉积。
3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第四刻蚀的方式为原子层刻蚀。
4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一介质层和第三介质层为多晶硅。
5.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二介质层为氧化硅或氮化硅。
6.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一厚度为2～3nm。
7.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，进行所述第四刻蚀，使最终形成沟槽的宽度为所述第一宽度的一半。
8.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为无定形碳。
10.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法中光刻胶掩模的形成适用于曝光精度小于等于90nm的曝光设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
