[发明专利]在贴膜机上更换晶圆保护膜的方法有效
申请号: | 201210062628.5 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN103311091A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 郝鑫杰;夏斯超 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;高为 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贴膜机上 更换 保护膜 方法 | ||
技术领域
本发明属于半导体芯片制造领域,涉及一种在贴膜机上更换晶圆保护膜的方法。
背景技术
在半导体芯片的制备过程中,在某些工艺过程中需要对晶圆的某一表面进行保护,例如,在制备DMOS芯片的需要对晶圆背面减薄的过程中,通常要对晶圆的正面贴上晶圆保护膜以对晶圆正面进行保护。
因此,在半导体晶圆厂中,为实现高效率的流水化贴膜作业,通常使用自动化程度高的贴膜机来对晶圆进行贴膜。通常地,晶圆保护膜一般地由两层膜组成,其中,第一层为贴膜过程中用于贴附到晶圆面上的蓝膜,第二层为贴膜之前与蓝膜粘合在一起以便于晶圆保护膜捆装的衬膜,蓝膜与衬膜相粘合的一面(也即粘性面)在贴膜时被贴在晶圆面上。因此,晶圆保护膜在进行贴膜之前必须将衬膜与蓝膜分离,同时,回收衬膜,蓝膜中部分地被贴在晶圆面上后,剩余的蓝膜被定义为“残膜”并需要回收。
通常地,在贴膜机上操作贴膜工艺过程中,存在标准化的操作工艺,其中,有一部分就是关于在贴膜机上更换晶圆保护膜的工艺,这是由于在贴膜过程中,随着贴膜的不断进行、可能某一捆装的晶圆保护膜被用完需要更换,或者由于晶圆的类型的变换(例如,由6寸晶圆变为8寸晶圆)等原因、需要相应更换晶圆保护膜的类型。更换晶圆保护膜的过程通常是一个耗时的过程,因此,为提高半导体芯片的制备效率,需要不断提高更换晶圆保护膜的效率。
发明内容
本发明的目的在于,提高在贴膜机上更换晶圆保护膜的效率。
为实现以上目的或者其他目的,本发明提供一种在贴膜机上更换晶圆保护膜的方法,所述贴膜机包括:
用于安装并传送晶圆保护膜的传送滚轮,
用于回收所述晶圆保护膜的衬膜的衬膜滚轮,以及
用于回收所述晶圆保护膜的蓝膜被部分地贴附至晶圆面上后形成的残膜的残膜滚轮;
所述方法包括以下步骤:
在第一位置剪断第一晶圆保护膜,
从所述传送滚轮上移走第一晶圆保护膜,
在所述传送滚轮上安装第二晶圆保护膜,
从头部拉出部分所述第二晶圆保护膜,使用胶带将所述第二晶圆保护膜接合到在所述贴膜机上的第一晶圆保护膜上,以及
送膜以实现所述第二晶圆保护膜的衬膜在所述衬膜滚轮上回收;
其中,所述第一位置为第一晶圆保护膜的蓝膜和衬膜分离之前的位置。
按照本发明一优选实施例的更换方法,其中,在使用胶带结合时,所述贴膜机上的第一晶圆保护膜插置于第二晶圆保护膜的蓝膜和衬膜之间,并且,第一晶圆保护膜的蓝膜相对于第二晶圆保护膜的蓝膜贴附,第一晶圆保护膜的衬膜相对于第二晶圆保护膜的衬膜贴附。
在之前所述实施例的更换方法中,较佳地,所述第一位置为设置在传送滚轮旁、并且第一晶圆保护膜未绕过任何其他轮轴之前的位置。
在之前所述实施例的更换方法中,可选择地,所述安装第二晶圆保护膜步骤中,在所述传送滚轮上安装调整垫。
在之前所述实施例的更换方法中,较佳地,在所述剪断步骤之前,还包括步骤:确认贴膜机停止贴膜工作。
在之前所述实施例的更换方法中,较佳地,所述移走第一晶圆保护膜步骤之前还包括步骤:使所述传送滚轮松开以准备移走所述第一晶圆保护膜。
在之前所述实施例的更换方法中,较佳地,所述送膜步骤之后还包括步骤:
在所述残膜滚轮旁剪断所述残膜;
在所述残膜滚轮上将所述第一晶圆保护膜的残膜移走;以及
将所述第二晶圆保护膜的残膜缠绕固定在所述残膜滚轮上。
在之前所述实施例的更换方法中,具体地,所述贴膜机还设置有用于固定晶圆的卡盘装置。
本发明的技术效果是,通过变更欲更换的第一晶圆保护膜的剪断位置和剪断方式、并采用胶带结合方式,本发明的在贴膜机上更换晶圆保护膜的方法不需要在衬膜滚轮上更换衬膜,也省去了更换衬膜的相关步骤,方法过程简单,操作也简单,大大提高了晶圆保护膜的更换效率。
附图说明
从结合附图的以下详细说明中,将会使本发明的上述和其他目的及优点更加完全清楚,其中,相同或相似的要素采用相同的标号表示。
图1是半导体晶圆厂中使用的贴膜机在工作时的基本结构示意图。
图2是现有的在贴膜机上更换晶圆保护膜的方法流程示意图。
图3是按照本发明一实施例的在贴膜机上更换晶圆保护膜的方法流程示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造