[发明专利]光半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210062315.X 申请日: 2012-03-09
公开(公告)号: CN102683316A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 大熊弘明;大野泰弘 申请(专利权)人: 斯坦雷电气株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;朱丽娟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及光半导体装置及其制造方法。

背景技术

在LED、半导体激光器、受光器件等光半导体装置的制造工序中,通常使用压制钢板来冲切导线框,然后在导线框上设置光半导体元件,接着进行使用树脂密封光半导体元件和上述导线框的一部分的工序。

在这种制造工序中,在使用压制钢板来冲切导线框时,在起膜部中朝着冲切的方向产生飞边,在使用树脂来密封光半导体元件和上述导线框的一部分的工序中,通过树脂的表面张力而在产生于冲切部的飞边中传递而在导线框中隆起,在导线框中隆起的树脂有时会产生妨碍与用于安装到安装基板上的焊料的湿润性的问题。

即,从树脂注入工序到树脂硬化工序的时间根据批处理用的工序、树脂注入的定时而不同,从树脂注入工序到树脂硬化工序的时间越长,则树脂越会由于其表面张力而在产生于冲切部的飞边中传递而在导线部隆起。若在这种状态下进行硬化,则会有损导线部的焊料湿润性。

专利文献1、专利文献2提出了防止这种树脂隆起的技术。

即,在专利文献1中,在密封树脂加热硬化之前对导线框表面上的密封树脂相邻区域实施离型剂的涂布,防止树脂隆起。

另外,在专利文献2中,利用冲压模具对在导线框的冲切加工时所产生的突起状飞边部分进行追加加工,以将焊接区域作为对象使其变得平坦,而且对导线电极表面实施无光泽电镀,从而防止树脂的隆起。

【专利文献1】日本特开昭63-086484号公报

【专利文献2】日本特开2001-230453号公报

然而在专利文献1中,难以确认是否始终稳定地实施了均匀的涂布,依赖于作业者技能的部分较多,因而存在耗费管理成本的问题。

另外,在专利文献2中,除了通常的冲切模具之外,还需要具有复杂构成的高精度的冲压模具,存在初始费用升高的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够在不必耗费大量成本和劳动力的情况下,防止导线部(导线框)中的树脂的隆起的光半导体装置及其制造方法。

为了达成上述目的,本发明第一方面提供一种光半导体装置,其具有:光半导体元件;用于设置该光半导体元件的导线框;覆盖上述光半导体元件和上述导线框的上述光半导体元件设置侧的端部的密封树脂部,其特征在于,上述导线框在与上述密封树脂部的底面相比位于上述光半导体元件设置侧的相反侧的区域具有飞边反转区域。

另外,本发明第二方面根据第一方面,其特征在于,上述光半导体装置还具有罩部,该罩部包围上述密封树脂部,至少一部分与上述密封树脂部的底面相比向上述光半导体元件设置侧的相反侧突出,上述飞边反转区域的上述光半导体元件设置侧的端部与上述罩部的最低的底面相比设置于上述密封树脂部侧。

另外,本发明第三方面提供一种光半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:第1冲切工序,以至少残留飞边反转用连接杆的方式,从一个方向从压制钢板冲切出导线框;第2冲切工序,对于进行了第1冲切工序后的上述导线框,从与上述第1冲切工序相反的方向对上述飞边反转用连接杆进行冲切,在上述导线框上设置飞边反转区域;在上述导线框的一个端部设置光半导体元件的工序;以及以使得上述飞边反转区域露出的方式使用树脂密封上述光半导体元件和上述导线框的一个端部的工序。

根据本发明第一方面、第二方面所述发明,光半导体装置具有:光半导体元件;用于设置该光半导体元件的导线框;覆盖上述光半导体元件和上述导线框的上述光半导体元件设置侧的端部的密封树脂部,上述导线框在与上述密封树脂部的底面相比位于上述光半导体元件设置侧的相反侧的区域具有飞边反转区域,因此能够在不必耗费大量成本和劳动力的情况下,防止导线部(导线框)中的树脂的隆起。

另外,根据本发明第三方面,光半导体装置的制造方法具有:第1冲切工序,以至少残留飞边反转用连接杆的方式,从一个方向从压制钢板冲切出导线框;第2冲切工序,对于进行了第1冲切工序后的上述导线框,从与上述第1冲切工序相反的方向对上述飞边反转用连接杆进行冲切,在上述导线框上设置飞边反转区域;在上述导线框的一个端部设置光半导体元件的工序;以及以使得上述飞边反转区域露出的方式使用树脂密封上述光半导体元件和上述导线框的一个端部的工序,因此能够在不必耗费大量成本和劳动力的情况下,防止导线部(导线框)中的树脂的隆起。

附图说明

图1表示本发明的光半导体装置的一个构成例的图。

图2是表示图1的光半导体装置的制造工序例的图。

图3是表示图1的光半导体装置的制造工序例的图。

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