[发明专利]具有改进的热稳定性的传感器

权利要求书

1.一种用于感测沿着流向的流体的流量的流量感测管芯(100)，该流量感测管芯(100)包括：

衬底(102)，该衬底(102)限定膜106)；

由该膜(106)支承的加热器电阻器(112)，其中该加热器电阻器(112)包括掺杂有第一浓度的掺杂剂(306)的多晶硅材料；

第一感测电阻器，由该膜(106)支承，位于该加热器电阻器(112)的相对于流向的上游位置；

第二感测电阻器，由该膜(106)支承，位于该加热器电阻器(112)的相对于流向的下游位置；以及

其中所述第一感测电阻器和第二感测电阻器包括掺杂有第二浓度的掺杂剂(306)的多晶硅材料，其中所述第二浓度大于所述第一浓度。

2.根据权利要求1所述的流量感测管芯(100)，其中该第一浓度的掺杂剂(306)被配置为提供具有在零加或减大约500ppm/℃的范围内的电阻温度系数(TCR)的加热器电阻器(112)。

3.根据权利要求1至2所述的流量感测管芯(100)，其中该第二浓度的掺杂剂(306)被配置为在该第一感测电阻器和该第二感测电阻器内提供相对于该加热器电阻器(112)更大的电阻温度系数。

4.根据权利要求1至3所述的流量感测管芯(100)，其中该掺杂剂(306)包括磷，砷，硼，锑，铝，或者镓。

5.根据权利要求1至4所述的流量感测管芯(100)，其中，当该加热器电阻器(112)被启动时，该第一感测电阻器和该第二感测电阻器被配置为感测沿着流向的流体的流量中的温度差。

6.根据权利要求1至5所述的流量感测管芯(100)，其中该加热器电阻器(112)，第一感测电阻器，和第二感测电阻器是薄膜电阻元件。

7.一种制造流量感测管芯(100)的方法，该方法包括：

提供衬底(102)；

在该衬底(102)上沉积一个或多个多晶硅层(104)；

对该一个或多个多晶硅层(104)的第一部分进行掺杂以具有在零加或减1000ppm/℃的范围内的第一电阻温度系数(TCR)；

在该一个或多个多晶硅层(104)的该第一部分内限定加热器元件；

对该一个或多个多晶硅层(104)的第二部分进行掺杂以具有第二电阻温度系数，其中第二电阻温度系数高于第一电阻温度系数；以及

在该一个或多个多晶硅层(104)的该第二部分内限定一个或多个感测元件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中该第一TCR在零加或减大约500ppm/℃的范围内。

9.根据权利要求7至8所述的方法，其中

对该一个或多个多晶硅层(104)的第一部分进行掺杂以具有第一电阻温度系数包括对该一个或多个多晶硅层(104)的该第一部分掺杂第一浓度的掺杂剂(306)；以及

对该一个或多个多晶硅层(104)的第二部分进行掺杂以具有第二电阻温度系数包括对该一个或多个多晶硅层(104)的该第二部分掺杂第二浓度的掺杂剂(306)，其中该第二浓度大于该第一浓度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该一个或多个多晶硅层(104)的该第一部分在第一掺杂过程中被掺杂，以及该一个或多个多晶硅层(104)的该第二部分在该第一掺杂过程和第二掺杂过程中被掺杂。