[发明专利]一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法无效
| 申请号： | 201210061384.9 | 申请日： | 2012-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102586859A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张雪囡;王彦君;李建宏;邬丽丽;陈强;苗向春;李军 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/30 | 分类号： | C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 区熔硅单晶 径向 电阻率 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：还包括有旋转磁场发生器（3）和支架（5），旋转磁场发生器（3）通过支架（5）固定在区熔炉炉室的炉壁（4）内，旋转磁场发生器（3）内壁距离硅单晶表面1～30cm；方法步骤为
⑴、将卡盘安装在多晶料棒6头部并用扳手拧紧，将卡盘安装在上轴底端，调整多晶料棒（6）使之呈竖直状态，安装加热线圈(1)和保温筒(2)并用水平仪进行水平调整，关闭炉门抽空，之后充入Ar气使炉压达到4bar；
⑵、下降多晶料棒（6），缓慢增加功率进行加热，待多晶料棒（6）下端出现熔体后，上升籽晶与熔体接触进行过热引晶；
⑶、引晶完毕后，开启下速进行拉细颈，达到设定细颈长度时降低下速进行扩肩，此时开始通入掺杂气体，并开启旋转磁场发生器（3），旋转磁场的频率为1～19Hz，强度为600～1300Gauss；
⑷、当扩肩直径达到设定值时，降低下轴速度开始等径生长；
⑸、等径生长完成后收尾停炉，关闭旋转磁场发生器（3）并取出硅单晶（8）。
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