[发明专利]晶片承载结构

说明书

技术领域

本发明是关于一种增进临界尺度一致性的晶片承载结构，特别是关于一种能够局部地增进临界尺度一致性的晶片承载结构。

背景技术

当半导体工业进入次0.1微米世代，整个晶片临界尺度(critical dimension，CD)的控制愈发重要。传统上工业界用电晶体中的栅极长度作为CD的指标，而随着的科技发展，该控制指标提升到3个标准差等级以因应日益缩小的临界尺度。

一片晶片中的CD变化来自于处理前的晶片形状及厚度的不一致。在微光显影的过程中，几乎每一步骤，包含上光阻、加热、曝光、显影、以及蚀刻都增加上述的不一致，严重的情况下，晶片会因弹性变形而产生表面扭曲。这些缺陷将被带入后续的光罩步骤，进一步造成错误的累积。过大的CD变化将严重影响最终每个晶片成品具有不同性能，因此降低良率及利润。

不同批号间和不同晶片间的CD变化经常由先进工艺控制(advanced process control，APC)，亦即，通过feed-forward至feed-forward/feedback封闭回路等方案掌握平均晶片CD来控管。该等方案收集CD一致性的数据，以更正微光显影步骤过程中造成的微扰，包括曝光剂量的空间变化以及曝光后加热温度的控制，皆内建于一个设计良好的工艺控制架构。然而，上述方法显示晶片表面形貌既不能得到直接的调整，控制上的空间敏感度也不够高。

发明内容

本发明提供一种利用旧有的CD一致性数据，通过机械上的矫正，以增进晶片CD一致性的装置。

本发明提供的晶片承载结构包含一晶片载台，具有一表面，经配置以承载晶片；贯穿该晶片载台的多个针孔；以及置于该晶片载台下的一平台，该平台承载多根可移动的针体。该各针体具有一轴向长度，大于该各针孔的深度；该针体具有一截面积，约等于该各针孔的截面积；该针体经配置沿着垂直于该晶片载台表面的方向突出或缩入该表面。

本发明的一实施例公开一种改良的晶片承载结构用于半导体工艺中，例如但不限于一真空晶片载台或一静电晶片载台。该晶片承载结构可消减临界尺度一致性的问题。

根据上述构思，进一步包含多个可移动元件，分别支持各根针体。

根据上述构思，进一步包含置于该晶片载台下的一平台，经配置以支撑该多个可移动元件。

根据上述构思，其中该可移动元件的材料包含压电材料。

根据上述构思，其中该多根针体具有一移动范围，其相对于一静置位置至多为0.1μm，其中该静置位置为该针体的一钝顶与该表面齐平的位置。

根据上述构思，其中该可移动元件具有一第一端及一第二端，该第一端承载该针体的底部，以及该第二端连接一致动装置。

根据上述构思，其中该可移动元件经由液压、气压、或电压驱动。

根据上述构思，其中该针体具有一轴向长度，该长度大于该针孔的深度。

根据上述构思，其中该针孔的直径界于5mm至10mm之间。

根据上述构思，其中该针体的截面积约等于该针孔的截面积。

根据上述构思，其中该针孔的总数为该晶片的一摄像区的整数倍。

根据上述构思，其中该晶片载台作为一真空晶片载台，或一静电晶片载台，其中该真空晶片载台包含多个真空孔洞。

根据上述构思，其中该多个针孔与该多个真空孔洞交错配置。

根据上述构思，其中至少一真空孔洞具有针体置于其中。

根据上述构思，其中该多个针孔排列成一放射状。

上文已相当广泛地概述本发明的技术特征及优点，俾使下文的本发明详细描述得以获得较佳了解。构成本发明的申请专利范围标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本发明所属技术领域技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本发明相同的目的。本发明所属技术领域技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的申请权利要求所界定的本发明的精神和范围。

附图说明

图1为俯视图，例示本发明一实施例的晶片载台，该载台具有三个真空孔洞(黑色圆圈)以及多个以放射状排列的针孔；

图2为俯视图，例示本发明一实施例的晶片，该晶片于微光显影过程中具有多个摄像区；

图3为俯视图，例示本发明另一实施例的部分晶片载台，该部分晶片载台的区域为图2一摄像区所界定，且该部分晶片载台具有一真空孔洞、一包含针体的真空孔洞、以及三个包含针体的针孔；

图4显示图3沿1-1′方向的剖视图；