[发明专利]晶片承载结构无效
申请号: | 201210058366.5 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103165506A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 邱垂福 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 承载 结构 | ||
1.一种晶片承载结构,其特征在于,包含:
一晶片载台(11、41、61、81),具有一表面(41a、61a、81a),经配置以承载一晶片(21、48、68、88);
多个针孔(12、46、55、55’、66、75、75a、75b、86),贯穿该晶片载台(11、41、61、81);以及
多根针体(32、45、52、65、72、85),分别置于该多个针孔内(12、46、55、55’、75、75a、75b、66、86),各自独立移动以突出或缩入该表面(41a、61a、81a)。
2.根据权利要求1所述的晶片承载结构,其特征在于,进一步包含多个可移动元件(44、64、84),分别支持各根针体(32、45、65、85)。
3.根据权利要求2所述的晶片承载结构,其特征在于,进一步包含置于该晶片载台(11、41、61、81)下的一平台(42、62、82),经配置以支撑该多个可移动元件(44、64、84)。
4.根据权利要求2所述的晶片承载结构,其特征在于该可移动元件(84)的材料包含压电材料。
5.根据权利要求4所述的晶片承载结构,其特征在于该多根针体(45、65、85)具有一移动范围,其相对于一静置位置至多为0.1μm,该静置位置为该针体(45、65、85)的一钝顶与该表面(41a、61a、85a)齐平的位置。
6.根据权利要求4所述的晶片承载结构,其特征在于该可移动元件(44、64、84)具有一第一端(44a、64a、84a)及一第二端(44b、64b、84b),该第一端(44a、64a、84a)承载该针体(45、65、85)的底部,以及该第二端(44b、64b、84b)连接一致动装置(43、63、83)。
7.根据权利要求6所述的该晶片承载结构,其特征在于该可移动元件(44、64、84)经由液压、气压、或电压驱动。
8.根据权利要求1所述的晶片承载结构,其特征在于该针体具有一轴向长度,该长度大于该针孔的深度。
9.根据权利要求8所述的晶片承载结构,其特征在于该针孔(46、66、86)的直径界于5mm至10mm之间。
10.根据权利要求1所述的晶片承载结构,其特征在于该针体(32)的截面积约等于该针孔(35)的截面积。
11.根据权利要求1所述的晶片承载结构,其特征在于该针孔(12)的总数为该晶片的一摄像区(22)的整数倍。
12.根据权利要求1所述的晶片承载结构,其特征在于该晶片载台(11、41、61、81)作为一真空晶片载台,或一静电晶片载台,该真空晶片载台(11、41、61、81)包含多个真空孔洞(13、33、34、53、54、73、74)。
13.根据权利要求12所述的晶片承载结构,其特征在于该多个针孔(12、35、55、75)与该多个真空孔洞(13、33、34、53、54、73、74)交错配置。
14.根据权利要求12所述的晶片承载结构,其特征在于至少一真空孔洞(34、54、74)具有针体(32、52、72)置于其中。
15.根据权利要求1所述的晶片承载结构,其特征在于该多个针孔(12)排列成一放射状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造