[发明专利]一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法

权利要求书

1.一种单层MoS₂纳米片溶液的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

1)选取N-甲基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-辛基吡咯烷酮、N-十二烷基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、二甲基咪唑烷酮其中一种作为溶剂，向所选择的溶剂中加入MoS₂粉体，其中MoS₂粉体在溶剂的浓度为0.5～1.5mg/mL，然后将混合的溶液磁力搅拌30min，移入水热反应釜；

2)将上述反应釜置于烘箱80～120℃，反应时间6～8h，得到前驱体溶液；

3)取出经过水热处理的前驱体溶液，向前驱体溶液中加入表面活性剂，其中表面活性剂与前驱体溶液的质量百分比为1％～4％，然后将加入表面活性剂的前驱体溶液采用超声粉碎机进行超声粉碎，超声功率180～300w，超声时间1～2h；

4)将经过超声剥离的溶液进行离心处理1～2h，离心机转速800～1500rpm/h，取上层清液即可得到单层MoS₂纳米片溶液。

2.根据权利要求1所述的一种制备单层MoS₂纳米片溶液的方法，其特征在于，加入的MoS₂粉体的浓度为0.5～1.5mg/mL。

3.根据权利要求1所述的一种制备单层MoS₂纳米片溶液的方法，其特征在于，所述的表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵，十六烷基三甲基氯化铵，十八胺或者三乙醇胺。

4.根据权利要求1所述的一种制备单层MoS₂纳米片溶液的方法，其特征在于，所述的表面活性剂与前驱体溶液的质量百分比为1％～4％。