[发明专利]LED封装结构的制造方法无效
申请号: | 201210056428.9 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311378A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 陈滨全;林新强;陈隆欣 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 封装 结构 制造 方法 | ||
1.LED封装结构的制造方法,该制造方法包括步骤:
提供基板;
在基板上形成彼此绝缘的第一电极、第二电极以及连接层;
设置光阻层覆盖该基板以及该第一电极、第二电极及连接层;
去除该光阻层遮挡连接层的部分而形成凹槽;
于凹槽内形成金属层;
去除该光阻层的剩余部分,金属层形成凹杯;及
形成反射层于凹杯内壁面,反射层与金属层贴合形成反射杯。
2.如权利要求1所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:该凹槽通过光照显影的方法形成。
3.如权利要求2所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:光照前,设置阻挡层覆盖该光阻层对应该连接层的部分,光照外露的光阻层,再移除该阻挡层并通过显影的方式形成该凹槽。
4.如权利要求3所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:该光阻层为负光阻。
5.如权利要求1所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:该凹杯通过浸泡溶液使该光阻层的剩余部分溶解的方法形成。
6.如权利要求1所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:该凹槽的切面呈一下底比上底长的梯形。
7.如权利要求1所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:该金属层填满该凹槽。
8.如权利要求1所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:该反射层为通过电镀所形成的金属反射层。
9.如权利要求1所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:每一对第一电极与第二电极均由一连接层环绕包围。
10.如权利要求1所述的LED封装结构的制造方法,其特征在于:连接层位于相邻两对第一电极及第二电极中间的部分通过间隙相隔离。
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