[发明专利]半导体晶片及具备该半导体晶片的叠层构造体

权利要求书

1.一种半导体晶片，具备半导体基板和形成在上述半导体基板上的布线层，其中，

上述半导体基板具备位于上述半导体基板的外周部、且未被上述布线层覆盖的第1区域，

上述布线层具备上述布线层的上表面大致平坦的第2区域，

在上述第1区域形成了第1绝缘膜，

上述第2区域的上述布线层的上表面和上述第1绝缘膜的上表面大致为同一面。

2.如权利要求1所记载的半导体晶片，其中，

上述第2区域的上述布线层的上表面和上述第1绝缘膜的上表面的高度大致相同。

3.如权利要求1所记载的半导体晶片，其中，

上述第1绝缘膜的上表面大致平坦。

4.如权利要求1所记载的半导体晶片，其中，

上述第1区域还具备在上述第1区域的形成了上述第1绝缘膜的面上形成了阶差的阶差加工区域。

5.如权利要求1所记载的半导体晶片，其中，

上述半导体基板具备凹槽，上述第1绝缘膜形成于比上述凹槽的前端还靠近上述半导体基板的外周侧。

6.如权利要求1所记载的半导体晶片，其中，

上述布线层还具备位于上述第1区域和上述第2区域之间、且上述布线层的上表面的高度从上述第2区域向上述第1区域减小的第3区域，

在上述第3区域的上述布线层上形成了第2绝缘膜，

上述第2区域的上述布线层的上表面和上述第3区域的上述第2绝缘膜的上表面大致为同一面。

7.如权利要求6所记载的半导体晶片，其中，

上述第2区域的上述布线层的上表面和上述第3区域的上述第2绝缘膜的上表面的高度大致相同。

8.如权利要求6所记载的半导体晶片，其中，

上述第2绝缘膜的上表面大致平坦。

9.如权利要求6所记载的半导体晶片，其中，

上述第1区域还具备在上述第1区域的形成了上述第1绝缘膜的面上形成了阶差的阶差加工区域。

10.如权利要求1所记载的半导体晶片，其中，

上述半导体基板具备凹槽，上述第1绝缘膜的上表面大致平坦的区域形成于比上述凹槽的前端还靠近上述半导体基板的中心侧。

11.一种半导体晶片，具备半导体基板和形成在上述半导体基板上的布线层，

上述半导体基板具备位于上述半导体基板的外周部、且未被上述布线层覆盖的第1区域，

上述布线层具备上述布线层的上表面大致平坦的第2区域，以及位于上述第1区域和上述第2区域之间、且上述布线层的上表面的高度从上述第2区域向上述第1区域减小的第3区域，

在上述第2区域和上述第3区域，形成第3绝缘膜，

上述第3绝缘膜的上表面大致平坦。

12.如权利要求11所记载的半导体晶片，其中，

在上述第1区域形成第1绝缘膜，上述第1绝缘膜的上表面和上述第3绝缘膜的上表面大致为同一面。

13.如权利要求12所记载的半导体晶片，其中，

上述第1绝缘膜的上表面和上述第3绝缘膜的上表面的高度大致相同。

14.如权利要求12所记载的半导体晶片，其中，

上述第1绝缘膜的上表面大致平坦。

15.如权利要求12所记载的半导体晶片，其中，

上述第1区域还具备在上述第1区域的形成了上述第1绝缘膜的面上形成了阶差的阶差加工区域。

16.如权利要求12所记载的半导体晶片，其中，

上述半导体基板具备凹槽，上述第1绝缘膜形成于比上述凹槽的前端还靠近上述半导体基板的外周侧。

17.如权利要求12所记载的半导体晶片，其中，

上述半导体基板具备凹槽，上述第1绝缘膜的上表面大致平坦的区域形成于比上述凹槽的前端还靠近上述半导体基板的中心侧。