[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层内形成有硬掩模层，所述硬掩模层包含通孔图案；

在所述介质层上形成包含沟槽图案的光刻胶层；

以所述包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对所述介质层进行刻蚀，至暴露出硬掩模层，以形成沟槽；

以所述硬掩模层和包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对形成有沟槽的介质层进行刻蚀，至暴露出半导体衬底，以形成通孔。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述介质层包括第一介质层和第二介质层，在所述半导体衬底上形成介质层的步骤包括：

在所述半导体衬底上沉积第一介质层；

在所述第一介质层上涂覆光刻胶，图形化所述光刻胶，形成包含硬掩模图案的光刻胶层；

以所述包含硬掩模图案的光刻胶层为掩模，刻蚀所述第一介质层，形成硬掩模凹槽；

去除所述包含硬掩模图案的光刻胶层；

在所述硬掩模凹槽内以及第一介质层上沉积硬掩模材料，平坦化所述硬掩模材料，至暴露出第一介质层，形成所述硬掩模层；

在所述第一介质层以及硬掩模层上沉积第二介质层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述介质层包括第一介质层和第二介质层，在所述半导体衬底上形成介质层的步骤包括：

在所述半导体衬底上依次沉积第一介质层、硬掩模材料层和光刻胶；

图形化所述光刻胶，以形成包含硬掩模图案的光刻胶层；

以所述包含硬掩模图案的光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模材料层，形成所述硬掩模层；

去除所述包含硬掩模图案的光刻胶层；

在未被所述硬掩模层覆盖的第一介质层和所述硬掩模层上沉积第二介质层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述介质层的材质为低k材料或超低k材料。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述硬掩模层的材质为氮化钛或氮化钽。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度在150埃～300埃范围内。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，以所述包含沟槽图案的光刻胶层为掩模刻蚀所述介质层，至暴露出硬掩模层，以形成沟槽时，所述刻蚀为干法刻蚀。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，以所述硬掩模层和包含沟槽图案的光刻胶层为掩模刻蚀形成有沟槽的介质层，至暴露出半导体衬底，以形成通孔时，所述刻蚀为干法刻蚀。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，以所述硬掩模层和包含沟槽图案的光刻胶层为掩模刻蚀形成有沟槽的介质层，至暴露出半导体衬底，以形成通孔后还包括：在所述沟槽和通孔内沉积金属材料，进行平坦化处理，至暴露出介质层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述金属材料为铜金属。