[发明专利]一种直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法无效
| 申请号： | 201210053499.3 | 申请日： | 2012-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102583456A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李明吉;狄海荣;李红姬;吴小国;杨保和 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C01F5/06 | 分类号： | C01F5/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直流 等离子体 喷射 cvd 法制 氧化镁 纳米 方法 | ||
1.一种直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法，其特征在于步骤如下：
1)将硝酸镁晶体和硝酸镍晶体溶解于无水乙醇中制得混合溶液作为前驱物；
2)将上述制得的混合溶液均匀滴在基片上，自然晾干；
3)用锡丝垫到上述基片下，放置于直流等离子体喷射化学气相沉积设备腔内的沉积台上；
4)关闭真空室并打开真空泵和水泵抽真空，等泵压小于3kpa时，打开罗茨泵，当腔内压强小于0.1Pa时，向真空室通入保护气体和氢气，保护气体流量为1-3L/min，氢气流量为6-15L/min，启动直流电弧，弧电流为75-150A，调节排气阀和腔压调节阀，在腔内压强为2500-7000Pa、衬底温度为750-1200℃条件下，反应5-30分钟，制得氧化镁纳米带。
2.根据权利要求1所述直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法，其特征在于：所述混合溶液中Mg(NO3)2和Ni(NO3)2的摩尔比为1-10∶1，Mg(NO3)2的摩尔浓度为0.05-2mol/L。
3.根据权利要求1所述直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法，其特征在于：所述基片为钼、锆或石墨。
4.根据权利要求1所述直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法，其特征在于：所述锡丝呈环状缠绕6-10圈。
5.根据权利要求1所述直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法，其特征在于：所述保护气体为氩气或氦气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210053499.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种精密组芯铸造方法
- 下一篇：机车微机显示屏机车运行参数提取装置
