[发明专利]阵列基板的制造方法、显示面板及其制造方法无效
申请号: | 201210052720.3 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN103165526A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 刘柏彣;吕志平 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 显示 面板 及其 | ||
技术领域
本发明涉及阵列基板及显示面板技术领域,特别涉及阵列基板的制造方法、显示面板及其制造方法。
背景技术
在显示设备的发展上,随着光电技术以及半导体制造技术的进步,具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的平面显示器(flat display panels)已逐渐成为消费市场的主流。在现今显示技术当中,由于可挠性显示面板(flexible display panel)具有轻巧性、耐冲击性、可挠曲性、可穿戴性与携带方便等优势,目前已俨然成为新一代前瞻显示技术。然而,在目前的可挠性显示面板工艺中,主要技术瓶颈在各层结构如何精准地制作于可挠性基底上。
在可挠性显示面板的工艺中,常常会经过多种干、湿工艺或加热加压工艺,可挠性显示面板的可挠性基底于这些工艺中容易随之热胀冷缩,而使已形成于可挠性基底上的图案化结构产生形变。如此一来,当制造者欲在此形变的图案化结构上形成另一个图案化结构时,此两个图案化结构便容易发生对位偏移的问题,进而使得可挠性显示面板的制造良率下降。承上述,如何改善因可挠性基底于工艺中热胀冷缩而造成的问题实为研发者所极欲解决的问题之一。
发明内容
本发明的实施例提出一种阵列基板的制造方法,其包括下列步骤。提供第一透光基板。于第一透光基板上形成第一导电层。于第一透光基板上形成遮光层。利用能量束图案化第一导电层和遮光层,以形成第一导电图案和遮光图案。于第一透光基板上形成光反应材料层,以至少覆盖第一导电图案及第一透光基板。以遮光图案为掩模使部分光反应材料层曝光,并图案化光反应材料层而形成多个阻挡结构。
本发明的实施例提出一种显示面板的制造方法,其包括下列步骤。提供第一透光基板。于第一透光基板上形成第一导电层。于第一透光基板上形成遮光层。利用能量束图案化第一导电层和遮光层,以形成第一导电图案和遮光图案。于第一透光基板上形成光反应材料层,以至少覆盖第一导电图案及第一透光基板。以遮光图案为掩模使部分光反应材料层曝光,并图案化光反应材料层而形成多个阻挡结构。提供第二透光基板。令第二透光基板组立于阻挡结构上。令显示介质填入由第一透光基板与阻挡结构所定义出的容置空间中。
本发明的实施例提出一种显示面板,其包括第一透光基板、第二透光基底、第一导电图案、遮光图案、第二导电图案以及显示介质。第二透光基底相对于第一透光基板。第一导电图案位于第一透光基板与第二透光基底之间,且曝露出部分的第一透光基板。遮光图案与第一透光基板连接。遮光图案实质上与第一导电图案重合。阻挡结构连接第一透光基板与第二透光基底,且位于第一透光基板被第一导电图案所曝露之处。第二导电图案位于第一导电图案与第二透光基底之间。第一导电图案与第二导电图案交错。显示介质位于由第一透光基板、第二透光基底以及阻挡结构所形成的容置空间中。
附图说明
图1A至图1F为本发明第一实施例的显示面板的制造流程示意图。
图2A至图2E为本发明第二实施例的显示面板的制造流程示意图。
图3A至图3B为本发明第三实施例的显示面板的部分制造流程示意图。
【主要元件符号说明】
100、100A、100B:显示面板
102:第一透光基板
102a:第一表面
102b:第二表面
104:第一导电层
104a:第一导电图案
106:遮光层
106a:遮光图案
108:光反应材料层
108a:阻挡结构
110:显示介质
112:第二透光基板
112a:第二透光基底
112b:第二导电图案
D1、D2:方向
K:第一透光基板被第一导电图案所曝露之处
L:能量束
l:曝光光束
R:容置空间
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
第一实施例
显示面板的制造方法
图1A至图1F为本发明第一实施例的显示面板的制造流程示意图。请参照图1A,首先,提供第一透光基板102。接着,在第一透光基板102上形成第一导电层104。详言之,本实施例的第一透光基板102具有第一表面102a,而第一导电层104可形成在第一表面102a上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造