[发明专利]阵列基板的制造方法、显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一透光基板；

于所述第一透光基板上形成第一导电层；

于所述第一透光基板上形成遮光层；

利用能量束图案化所述第一导电层和所述遮光层，以形成第一导电图案和遮光图案；

于所述第一透光基板上形成光反应材料层，以至少覆盖所述第一导电图案以及所述第一透光基板；以及

以所述遮光图案为掩模使部分所述光反应材料层曝光，并图案化所述光反应材料层，而形成多个阻挡结构。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面以及第二表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤为：于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述第一导电层，而于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤为：于所述第一透光基板的所述第二表面上形成所述遮光层。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，更包括：移除位于所述第一透光基板的所述第二表面上的所述遮光层。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤以及于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤包括：

于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述第一导电层；以及

于所述第一导电层上形成所述遮光层，其中所述第一导电层位于所述第一透光基板的所述第一表面与所述遮光层之间。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，更包括：移除位于所述第一导电层上的所述遮光层。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤以及于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤包括：

于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述遮光层；以及

于所述遮光层上形成所述第一导电层，其中所述遮光层位于所述第一透光基板的所述第一表面与所述第一导电层之间。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一导电图案与所述遮光图案重合。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板为可挠性基板或硬质基板。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述可挠性基板的材质包括：聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚苯醚砜、聚碳酸酯、聚亚酰胺、环状烯腈聚合物或聚芳酯树脂。

10.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光反应材料层包括：负型光刻胶层或感光硬化层。

11.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述遮光层包括：吸光层或反光层。

12.如权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述吸光层材料包括：黑色光刻胶、有色光刻胶、黑色树脂、有色树脂、墨水、碳粉或聚亚酰胺(polyimide，PI)。

13.如权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述反光层的材料包括：金属、金属氧化物或金属氮氧化物。

14.如权利要求13所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属的材料包括：铬或铝。

15.如权利要求13所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物的材料包括：氧化铬或氧化铝。

16.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一导电层为透光导电层。

17.如权利要求16所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述透光导电层的材质包括：铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡掺杂锑、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、导电高分子材料或纳米金属膜。

18.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述能量束包括激光。