[发明专利]非绝缘型功率模块及其封装工艺

权利要求书

1.一种非绝缘型功率模块200的封装工艺，它包含：

步骤(1)，即定位步骤：将功率模块芯片220安装到铜基板210的指定位置处；

步骤(2)，即第一焊接步骤：将所述功率模块芯片220与所述铜基板210焊接在一起；

步骤(3)，即密封步骤：将焊接有所述功率模块芯片220的所述铜基板210与外壳280安装在一起，并采用密封胶270进行密封以形成密封结构；以及

步骤(4)，即固化步骤：采用环氧树脂290，封装由所述密封步骤形成的所述密封结构，从而形成所述非绝缘型功率模块200。

2.如权利要求1所述的非绝缘型功率模块200的封装工艺，其特征在于，所述步骤(2)是在真空状态下进行的。

3.如权利要求1或2所述的非绝缘型功率模块200的封装工艺，其特征在于，在完成步骤(2)之后且在开始步骤(3)之前还可以包括第二焊接步骤：在所述功率模块芯片220上，将门极电极230焊接到所述功率模块芯片230上，并且使所述门极电极230从所述环氧树脂290中裸露出来。

4.如权利要求3所述的非绝缘型功率模块200的封装工艺，其特征在于，在完成步骤(4)之后，还包含外观处理步骤：将所述外壳280上从所述环氧树脂290中裸露出的门极电极230打弯成型。

5.如权利要求1所述的非绝缘型功率模块200的封装工艺，其特征在于，所述功率模块是晶闸管模块、二极管模块、IGBT模块或MOSFET模块。

6.一种非绝缘型功率模块200，它包含：

铜基板210；

位于所述铜基板210指定位置处的功率模块芯片220；

从所述功率模块芯片220引出的门极电极230；以及

外壳280，用于罩盖所述铜基板210、门极电极230和所述功率模块芯片220；

其中，所述功率模块芯片220直接焊接在所述铜基板210上，所述门极电极230焊接在所述功率模块芯片220上。

7.如权利要求6所述的非绝缘型功率模块200，其特征在于，

其中，所述功率模块芯片220、所述门极电极230、所述铜基板210以及所述外壳280采用硅凝胶270密封，在所述硅凝胶270上采用环氧树脂290固化封装，以形成密封结构。

8.如权利要求7所述的非绝缘型功率模块200，其特征在于，所述门极电极230从所述环氧树脂290中引出。

9.如权利要求8所述的非绝缘型功率模块200，其特征在于，所述门极电极230被打弯成型。

10.如权利要求6至8中任一权利要求所述的非绝缘型功率模块200，其特征在于，所述非绝缘型功率模块200中的芯片220之间采用铝丝键合在起来。

11.如权利要求6所述的非绝缘型功率模块200，其特征在于，所述铜基板的厚度为3毫米。

12.如权利要求6所述的非绝缘型功率模块，其特征在于，所述功率模块是晶闸管模块、二极管模块、IGBT模块或MOSFET模块。