[发明专利]半导体存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储器系统，包括：

采用形成有布线图形的多层构造、在俯视时呈大致长方形形状的基板；

在上述基板的表面层侧沿着长边方向被排列设置的多个元件；

使上述元件的表面露出，同时被填充在上述元件之间的间隙、以及上述元件和上述基板之间的间隙的粘结部。

2.权利要求1所述的半导体存储器系统，其特征在于，

上述元件包括非易失性半导体存储元件，

上述粘结部使上述非易失性半导体存储元件的表面露出，同时被填充在上述非易失性半导体存储元件之间的间隙、以及上述非易失性半导体存储元件和上述基板之间的间隙。

3.权利要求2所述的半导体存储器系统，其特征在于，

上述元件还包括用于控制上述非易失性半导体存储元件的控制器，

上述粘结部使上述非易失性半导体存储元件的表面和上述控制器的表面露出，同时被填充在上述非易失性半导体存储元件和上述控制器之间的间隙、上述非易失性半导体存储元件和上述基板之间的间隙、以及上述控制器和上述基板之间的间隙。

4.权利要求2所述的半导体存储器系统，其特征在于，

上述元件还包括易失性半导体存储元件，

上述粘结部使上述非易失性半导体存储元件的表面和上述易失性半导体存储元件的表面露出，同时被填充在上述非易失性半导体存储元件和上述易失性半导体存储元件之间的间隙、上述非易失性半导体存储元件和上述基板之间的间隙、以及上述易失性半导体存储元件和上述基板之间的间隙。

5.权利要求2所述的半导体存储器系统，其特征在于，

上述元件包括非易失性半导体存储元件、易失性半导体存储元件、和用于控制非易失性半导体存储元件的控制器，

上述粘结部使上述易失性半导体存储元件的表面和上述控制器的表面露出，同时被填充在上述易失性半导体存储元件和上述控制器之间的间隙、上述易失性半导体存储元件和上述基板之间的间隙、以及上述控制器和上述基板之间的间隙。

6.权利要求4所述的半导体存储器系统，其特征在于，上述易失性半导体存储元件是DRAM。

7.权利要求4所述的半导体存储器系统，其特征在于，上述易失性半导体存储元件是MRAM。

8.权利要求7所述的半导体存储器系统，其特征在于，上述MRAM具有抑制磁力向内部的侵入的磁屏蔽部。

9.权利要求7所述的半导体存储器系统，其特征在于，还包括覆盖上述元件的周围而抑制磁力向上述MRAM的侵入的封装。

10.权利要求2所述的半导体存储器系统，其特征在于，上述非易失性半导体存储元件是NAND型闪存。

11.权利要求2所述的半导体存储器系统，其特征在于，上述非易失性半导体存储元件是层叠型NAND型闪存。

12.权利要求2所述的半导体存储器系统，其特征在于，上述非易失性半导体存储元件是ReRAM。

13.权利要求1所述的半导体存储器系统，其特征在于，相比于上述基板的层构造的中心线在表面层侧形成的上述布线图形的布线密度与相比于上述基板的层构造的中心线在背面层侧形成的上述布线图形的布线密度大致相等。

14.权利要求13所述的半导体存储器系统，其特征在于，通过在上述基板的背面层侧形成的接地层的布线图形调整相比于上述基板的层构造的中心在背面层侧形成的上述布线图形的布线密度。

15.权利要求14所述的半导体存储器系统，其特征在于，在上述基板的背面层侧形成的接地层形成网眼状的上述布线图形，而调整上述布线密度。

16.权利要求15所述的半导体存储器系统，其特征在于，上述接地层被形成在成为上述基板的最背面侧的层。

17.权利要求15所述的半导体存储器系统，其特征在于，以网眼状形成的上述布线图形的开口宽度，在将SATA基波的2次高次谐波的波长取为λ时，与λ/20大致相等。

18.权利要求2所述的半导体存储器系统，其特征在于，相比于上述基板的层构造的中心在背面层侧形成的上述布线图形中，在上述非易失性半导体存储元件之间的间隙相对的部分的至少一部分形成缝隙。